三(san)星(xing)電子(zi)宣布基于3納(na)(na)米(mi)全環繞柵極(Gate-All-AroundT，簡稱GAA)制程工(gong)藝(yi)(yi)節點的(de)芯片(pian)已經開始初步(bu)生產。3nmGAA技術(shu)采用了更(geng)寬(kuan)通(tong)的(de)納(na)(na)米(mi)片(pian)，與(yu)采用窄通(tong)道納(na)(na)米(mi)線的(de)GAA技術(shu)相比(bi)能(neng)(neng)(neng)提供更(geng)高的(de)性能(neng)(neng)(neng)和(he)能(neng)(neng)(neng)耗比(bi)。3納(na)(na)米(mi)GAA技術(shu)上，三(san)星(xing)能(neng)(neng)(neng)夠調整(zheng)納(na)(na)米(mi)晶體管的(de)通(tong)道寬(kuan)度(du)，優化功耗和(he)性能(neng)(neng)(neng)，從而(er)(er)能(neng)(neng)(neng)夠滿足客戶的(de)多元需求。與(yu)三(san)星(xing)5nm工(gong)藝(yi)(yi)相比(bi)，第(di)一(yi)代(dai)3nm工(gong)藝(yi)(yi)可以使功耗降低45%，性能(neng)(neng)(neng)提升(sheng)23%，芯片(pian)面(mian)積減(jian)少(shao)16%；而(er)(er)未來第(di)二代(dai)3nm工(gong)藝(yi)(yi)則使功耗降低50%，性能(neng)(neng)(neng)提升(sheng)30%，芯片(pian)面(mian)積減(jian)少(shao)35%。（全球(qiu)TMT）