SK海力士于8月3日宣布成功研發全(quan)球(qiu)首(shou)款業(ye)界最(zui)高(gao)層(ceng)(ceng)數(shu)的(de)(de)(de)238層(ceng)(ceng)NAND閃存(cun)(cun)。SK海力士向客戶發送(song)了(le)238層(ceng)(ceng) 512Gb TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存(cun)(cun)的(de)(de)(de)樣品，并計劃在(zai)(zai)2023年上半年正式投入量產。238層(ceng)(ceng)NAND閃存(cun)(cun)成功堆棧更高(gao)層(ceng)(ceng)數(shu)的(de)(de)(de)同時，實(shi)現了(le)業(ye)界最(zui)小(xiao)的(de)(de)(de)面積(ji)(ji)。新產品每單位面積(ji)(ji)具備更高(gao)的(de)(de)(de)密度，借(jie)其(qi)更小(xiao)的(de)(de)(de)面積(ji)(ji)能(neng)夠在(zai)(zai)相同大小(xiao)的(de)(de)(de)硅晶片(pian)生(sheng)產出更多的(de)(de)(de)芯片(pian)，因(yin)此相比(bi)176層(ceng)(ceng)NAND閃存(cun)(cun)其(qi)生(sheng)產效率也提高(gao)了(le)34%。此外(wai)，238層(ceng)(ceng)NAND閃存(cun)(cun)的(de)(de)(de)數(shu)據(ju)傳輸速度為2.4Gbps，相比(bi)前一(yi)代(dai)產品提高(gao)了(le)50%，芯片(pian)讀取數(shu)據(ju)時的(de)(de)(de)能(neng)源消耗也減(jian)少(shao)了(le)21%。（全(quan)球(qiu)TMT）