新思科(ke)(ke)技(ji)近(jin)日宣(xuan)布，在雙方的(de)長(chang)期(qi)合作中，三(san)(san)星(xing)晶圓(yuan)廠(chang)已經通過新思科(ke)(ke)技(ji)數字和(he)定(ding)制設計工(gong)具(ju)和(he)流程實現了(le)多次(ci)成功的(de)測試流片，從而更好地推動(dong)三(san)(san)星(xing)的(de)3納米全環(huan)繞柵極（GAA）技(ji)術(shu)被采用于對功耗、性能(neng)和(he)面積（PPA）要求極高的(de)應用中。與三(san)(san)星(xing)SF5E工(gong)藝相比，采用三(san)(san)星(xing)晶圓(yuan)廠(chang)SF3技(ji)術(shu)的(de)共同(tong)客戶將實現功耗降(jiang)低(di)約50%，性能(neng)提高約30%，面積縮小30%左右。（全球TMT）