三星(xing)(xing)宣布(bu)，已(yi)開始量產三星(xing)(xing)產品(pin)中具(ju)(ju)有(you)(you)最高存(cun)儲密(mi)度(du)的(de)1Tb（太字節(jie)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的(de)全新V-NAND在目(mu)前三星(xing)(xing)V-NAND中具(ju)(ju)有(you)(you)最高的(de)存(cun)儲密(mi)度(du)，可為(wei)全球企業(ye)系統提供容(rong)量更大、密(mi)度(du)更高的(de)存(cun)儲解決方(fang)案。三星(xing)(xing)采(cai)用3D縮(suo)放（3D scaling）技術，減少(shao)表(biao)面(mian)積并降(jiang)低高度(du)，同時避免(mian)了(le)縮(suo)小(xiao)時通常會(hui)發生的(de)單元間的(de)干擾。基于最新NAND閃存(cun)標(biao)準Toggle DDR 5.0接(jie)口的(de)三星(xing)(xing)第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度(du)高達2.4 Gbps（千兆比特每秒(miao)），相(xiang)比上一(yi)代提升了(le)1.2倍。（全球TMT）