三(san)星電(dian)(dian)子(zi)宣布，已成功開發出其首款(kuan)采用(yong)12納米（nm）級(ji)工(gong)藝技(ji)術(shu)打造的(de)(de)16 Gb DDR5 DRAM。這(zhe)一(yi)技(ji)術(shu)突破(po)是通過(guo)使(shi)用(yong)一(yi)種新(xin)的(de)(de)高(gao)介電(dian)(dian)（high-k）材料來增加電(dian)(dian)池電(dian)(dian)容，以及改(gai)進關鍵電(dian)(dian)路特性的(de)(de)專利設計技(ji)術(shu)而實現的(de)(de)。結合先進的(de)(de)多(duo)層(ceng)極紫外(wai)（EUV）光刻技(ji)術(shu)，新(xin)款(kuan)DRAM擁有(you)三(san)星最高(gao)的(de)(de)DDR5 Die密度（Die density），可使(shi)晶圓(yuan)生產(chan)率提高(gao)20%。基于DDR5最新(xin)標準，三(san)星12nm級(ji)DRAM將解鎖高(gao)達(da)7.2千兆每(mei)秒（Gbps）的(de)(de)速度。與(yu)上一(yi)代三(san)星DRAM產(chan)品相比，12nm級(ji)DRAM的(de)(de)功耗降(jiang)低約23%。（全球(qiu)TMT）