三(san)星電子(zi)(zi)(Samsung Electronics)已(yi)成功將下(xia)一代3D DRAM堆疊(die)到(dao)16層(ceng)，是(shi)其競(jing)(jing)爭對(dui)(dui)手(shou)(shou)美(mei)光(guang)(Micron)的兩倍。然而(er)，3D DRAM產品目(mu)前處(chu)于可(ke)行性驗證階段，目(mu)標(biao)是(shi)到(dao)2030年(nian)實現商業(ye)化。3D DRAM采(cai)用垂直堆疊(die)的方式，單位面積容量可(ke)以增加3倍，從而(er)實現海量數據的快(kuai)速處(chu)理。三(san)星電子(zi)(zi)的目(mu)標(biao)是(shi)在3D DRAM技術上擴大與競(jing)(jing)爭對(dui)(dui)手(shou)(shou)的差距。（美(mei)通社）