韓國(guo)8英寸晶圓代工廠(chang)SK啟方半(ban)導體(ti)(SK keyfoundry)宣布(bu)，已(yi)確保新一代功率半(ban)導體(ti)GaN（氮化(hua)鎵）的(de)關鍵器(qi)件特性。公(gong)司(si)正(zheng)在加大GaN的(de)開發力(li)(li)度，力(li)(li)爭在年內完(wan)成開發工作。該公(gong)司(si)預計(ji)，硅(gui)基(ji)650V產(chan)品(pin)將(jiang)為(wei)快(kuai)速充電適配器(qi)、LED照明、數據中心和(he)ESS以(yi)及太陽能微型逆變(bian)器(qi)等市場的(de)無晶圓廠(chang)客戶帶來開發優質(zhi)產(chan)品(pin)的(de)優勢。同時，公(gong)司(si)計(ji)劃以(yi)650V GaN HEMT為(wei)基(ji)礎，打造GaN產(chan)品(pin)組合，可為(wei)GaN HEMT和(he)GaN IC提供多種電壓(ya)支(zhi)持。（美通社）