8月8日，在北京舉辦的(de)2024年開放計算中國峰會(OCP China)上，三星電子副總(zong)裁(cai)、先行開發(fa)團隊負責(ze)人張(zhang)(zhang)實完(Silwan Chang)發(fa)表題為“AI革(ge)新(xin)：AI時代(dai)的(de)存(cun)儲創新(xin)之(zhi)路(lu)”的(de)主題演講。演講中指出，三星的(de)目標(biao)是向市場提供基于TLC和(he)QLC NAND技術(shu)的(de)各(ge)種(zhong)規格(ge)的(de)高容量產品(pin)，以(yi)滿足AI應(ying)用(yong)對(dui)存(cun)儲容量不(bu)斷增長(chang)的(de)需求。張(zhang)(zhang)實完還介紹(shao)了三星近期(qi)正在進(jin)行客戶測試的(de)HBM3E內存(cun)產品(pin)，下一代(dai)HBM4產品(pin)預計會在2025年介紹(shao)。（美通社）