9月3日，“2024開放數(shu)據(ju)中心峰(feng)會”在(zai)北京召(zhao)開。三星(xing)電子副總裁兼閃存應用(yong)工程師(shi)團(tuan)隊負責人，沈(shen)昊俊在(zai)會上發表主(zhu)題演講。他介紹，為克(ke)服性能(neng)和容(rong)(rong)量(liang)的(de)(de)制約(yue)，采(cai)用(yong)并行(xing)搭載(zai)HBM和DRAM的(de)(de)方式正在(zai)逐漸成為行(xing)業趨勢。三星(xing)半(ban)導體目前(qian)單芯片(pian)容(rong)(rong)量(liang)最(zui)大(da)(da)32Gb的(de)(de)DDR5內存產(chan)品，不久(jiu)將可(ke)供應128GB/256GB等大(da)(da)容(rong)(rong)量(liang)封裝規格；以及擁有目前(qian)三星(xing)最(zui)高隨機寫(xie)入性能(neng)400K IOPS的(de)(de)高性能(neng)8通(tong)道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。三星(xing)基于QLC NAND技(ji)術的(de)(de)SSD產(chan)品BM1743未來可(ke)提供大(da)(da)容(rong)(rong)量(liang)規格計劃。（美通(tong)社）