SK啟(qi)方半導體(SK keyfoundry)宣布推(tui)出第四代0.18微米(mi)BCD工藝(yi)，性能較第三代提升約20%。該(gai)工藝(yi)提供(gong)高達(da)40V的功率器(qi)件，并支(zhi)持3.3V、5V和(he)18V柵(zha)極(ji)輸入電壓(ya)，適用于服務(wu)器(qi)、筆記本電腦(nao)PMIC、DDR5內存(cun)PMIC、移動充電器(qi)、音頻放大器(qi)和(he)汽車(che)柵(zha)極(ji)驅動器(qi)等(deng)。還提供(gong)MTP/OTP存(cun)儲器(qi)和(he)SRAM選項，符合AEC-Q100 Grade 1標準，可在125℃高溫下穩(wen)定運行。厚IMD（金(jin)屬間介(jie)質）選項使得汽車(che)產品設計能夠(gou)承受(shou)超過15,000V的電壓(ya)。（美(mei)通社）