三星(xing)電(dian)子9月(yue)12日宣布其首(shou)款1太比特（Tb）四層單(dan)(dan)(dan)元(yuan)（QLC）第(di)九(jiu)代V-NAND已正式開始量產(chan)(chan)(chan)。今(jin)年四月(yue)，三星(xing)啟動了其首(shou)批三層單(dan)(dan)(dan)元(yuan)（TLC）第(di)九(jiu)代V-NAND的(de)(de)量產(chan)(chan)(chan)，隨后又實現(xian)了QLC第(di)九(jiu)代V-NAND的(de)(de)量產(chan)(chan)(chan)。三星(xing)計(ji)劃擴大QLC第(di)九(jiu)代V-NAND的(de)(de)應用范圍，從品(pin)牌消費類產(chan)(chan)(chan)品(pin)擴展到(dao)移動通(tong)用閃存、個人電(dian)腦(nao)和(he)服(fu)(fu)務器(qi)SSD，為包括云服(fu)(fu)務提(ti)(ti)供商(shang)在內的(de)(de)客(ke)戶提(ti)(ti)供服(fu)(fu)務。三星(xing)的(de)(de)通(tong)道孔蝕刻(ke)技術基于雙堆棧架構(gou)實現(xian)當前(qian)業(ye)內最高單(dan)(dan)(dan)元(yuan)層數，并通(tong)過多項創(chuang)新技術提(ti)(ti)升產(chan)(chan)(chan)品(pin)性(xing)能和(he)可靠性(xing)。（美通(tong)社）