由思坦科(ke)技(ji)與南方(fang)科(ke)技(ji)大(da)學、香(xiang)港(gang)科(ke)技(ji)大(da)學、國家第(di)三(san)代半導體技(ji)術(shu)創新中(zhong)心（蘇州）聯合(he)攻關的(de)(de)(de)重大(da)成果——基于(yu)高功率 AlGaN深紫(zi)(zi)外Micro-LED顯示的(de)(de)(de)無(wu)掩(yan)膜光(guang)(guang)刻技(ji)術(shu)，于(yu)10月15日正式(shi)在國際頂尖權威學術(shu)期(qi)刊Nature Photonics上發表。該技(ji)術(shu)使用鋁(lv)鎵氮(dan)（AlGaN）材料(liao)制造出發光(guang)(guang)波長為270納米(mi)(mi)的(de)(de)(de)深紫(zi)(zi)外Micro-LED，這些LED像(xiang)素尺(chi)寸僅(jin)為3微米(mi)(mi)，克(ke)服了傳統(tong)光(guang)(guang)刻中(zhong)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)功率限制，實現圖案與光(guang)(guang)源集成。利用無(wu)掩(yan)膜光(guang)(guang)刻的(de)(de)(de)方(fang)式(shi)，不僅(jin)解(jie)決(jue)了半導體制造中(zhong)的(de)(de)(de)關鍵技(ji)術(shu)瓶頸(jing)，還提供了一條(tiao)制造成本更(geng)低、曝光(guang)(guang)效(xiao)率更(geng)高的(de)(de)(de)解(jie)決(jue)方(fang)案。（美通社）