德州儀器(qi)(TI)近日宣布，其基于氮化鎵(GaN)的(de)(de)功(gong)(gong)率半導(dao)體已在(zai)(zai)日本會(hui)(hui)津工廠投產(chan)。隨著會(hui)(hui)津工廠的(de)(de)加入，德州儀器(qi)的(de)(de)GaN功(gong)(gong)率半導(dao)體自有(you)制造(zao)產(chan)能(neng)提升至(zhi)原來的(de)(de)四(si)倍。公(gong)司(si)成(cheng)功(gong)(gong)驗證了8英寸(cun)GaN技術并(bing)將開始大規(gui)模生產(chan)，這種(zhong)制造(zao)方式(shi)具有(you)顯著的(de)(de)可擴展性和成(cheng)本優勢(shi)，有(you)助(zhu)于擴大GaN芯(xin)片自有(you)制造(zao)。到2030年自有(you)制造(zao)產(chan)能(neng)將增至(zhi)95%以上。德州儀器(qi)在(zai)(zai)提升GaN 產(chan)能(neng)過程(cheng)中采用了更先進、更高效(xiao)的(de)(de)機臺，可以生產(chan)出體積更小但是功(gong)(gong)率更大的(de)(de)芯(xin)片。公(gong)司(si)還開展了在(zai)(zai)12英寸(cun)晶圓上開發GaN制造(zao)工藝試點項目。（美通社）