3月14日，“2025英飛凌(ling)消(xiao)費、計算與通訊創新(xin)大(da)會”（ICIC 2025）在深(shen)圳舉行。大(da)會首(shou)次在國(guo)內展示(shi)了(le)英飛凌(ling)兩款突破性(xing)技術——300mm氮化鎵(jia)功(gong)(gong)率(lv)(lv)半導體晶圓(yuan)和20μm超(chao)薄硅(gui)功(gong)(gong)率(lv)(lv)晶圓(yuan)。英飛凌(ling)展示(shi)了(le)四款重(zhong)磅新(xin)品(pin)，包括PSOC Control C3 MCU、新(xin)一(yi)代中壓CoolGaN半導體器件(jian)、CoolMOS 8高壓超(chao)結（SJ）MOSFET和XDP數字電源。同時，英飛凌(ling)近期推出(chu)的(de)新(xin)一(yi)代高密度(du)功(gong)(gong)率(lv)(lv)模(mo)塊，即(ji)OptiMOS TDM2454xx四相功(gong)(gong)率(lv)(lv)模(mo)塊也(ye)在國(guo)內首(shou)次亮相。（美通社(she)）