SK海力(li)士(shi)株式(shi)會社（SK hynix Inc.）宣布，已(yi)完成(cheng)321層2Tb QLC NAND閃存(cun)產品的開發(fa)，并已(yi)啟動(dong)量(liang)產。這一成(cheng)就標志(zhi)著全球首(shou)次采用QLC技術實現超(chao)過(guo)300層的堆疊，為NAND閃存(cun)密度(du)樹立了新的行業(ye)標桿。該公(gong)司計劃在(zai)完成(cheng)全球客戶驗證后，于明年(nian)上半年(nian)推出該產品。321層QLC NAND在(zai)容量(liang)和性(xing)能(neng)(neng)方面均優于之前的QLC產品。數據傳輸速度(du)翻倍，寫(xie)入性(xing)能(neng)(neng)提(ti)升高達56%，讀取性(xing)能(neng)(neng)提(ti)升18%。此外，寫(xie)入功耗效率提(ti)升超(chao)過(guo)23%。（美(mei)通社）