8英(ying)寸特(te)色晶(jing)(jing)圓(yuan)代工廠DB HiTek宣布，其下一代功率半導體(ti)平臺--650V增強(qiang)型氮化鎵高(gao)電子(zi)遷(qian)移率晶(jing)(jing)體(ti)管(GaN HEMT)工藝開發已進入最終階段。該公(gong)司還將于(yu)(yu)10月底(di)推(tui)出(chu)專屬氮化鎵多項(xiang)目(mu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(MPW)項(xiang)目(mu)。此后，DB HiTek計劃在(zai)(zai)2026年底(di)前(qian)推(tui)出(chu)200V氮化鎵工藝及(ji)針對集成(cheng)電路(lu)優化的650V氮化鎵工藝。為支持這些舉措，DB HiTek正在(zai)(zai)擴(kuo)建位于(yu)(yu)韓國忠清北道的Fab2潔凈室設施。此次擴(kuo)建預(yu)計每月新增約3.5萬(wan)片8英(ying)寸晶(jing)(jing)圓(yuan)產能。（美(mei)通社(she)）