韓國首爾2023年10月25日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，//www.skhynix.com）25日宣布， 公司開始推進"LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) DRAM"的商用化*，其目前移動DRAM中可實現9.6Gbps（每秒9.6千兆）最高速度。SK海力士表示，最近獲得了將LPDDR5T DRAM適用于美國高通技術公司（Qualcomm Technologies，以下簡稱高通）最新第三代驍龍8移動平臺（Snapdragon®8 Gen 3 Mobile Platform）的業內首次認證。

*LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是用于智能手機和平板電腦等移動端產品的DRAM規格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運行特征。規格名稱附有"LP（Low Power，低功耗）"，最新規格為第七代LPDDR（5X），按1-2-3-4-4X-5-5X的順序開發而成。LPDDR5T是SK海力士業內首次開發的產品，是第八代LPDDR6正式問世之前，將第七代LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。

自今年1月開發出LPDDR5T DRAM以來，SK海力士與高通進行了兼容性驗證合作。兩家公司在結合LPDDR5T DRAM和高通的最新第三代驍龍8移動平臺的智能手機上進行驗證得出，兩款產品都發揮出了優秀的性能。

SK海力士強調："公司的LPDDR5T DRAM成功完成與全球權威通信芯片公司高通等主要移動AP（Application Processor）供應商的性能驗證，今后移動設備中LPDDR5T DRAM的布局將迅速擴大。"

公司計劃向客戶提供以LPDDR5T DRAM單品芯片結合而成的16GB（千兆）容量套裝產品。該產品的數據處理速度為每秒77GB，其相當于1秒內可處理15部全高清（Full-HD，FHD）級電影。

另外，LPDDR5T DRAM可在國際半導體標準化組織（JEDEC）規定的最低電壓標準范圍1.01~1.12V（伏特）下運行，在功耗方面也具備了優勢。

SK海力士技術團隊在開發該產品的過程中，采用了HKMG（High-K Metal Gate）*工藝，在運行速度和功耗方面都有效提高了性能。由此公司期待，在下一代的LPDDR6 DRAM問世前，LPDDR5T DRAM在移動DRAM市場上占據很大比重。

*HKMG：在DRAM晶體管內的絕緣膜上采用高K柵電介質，在防止漏電的同時還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內存速度，還可降低功耗。SK海力士于去年11月在移動DRAM上全球首次采用了HKMG工藝。

高通技術公司產品管理高級副總裁（Senior Vice President of Product Management）Ziad Asghar表示："第三代驍龍8產品可以低功耗下無延遲驅動生成型AI為基礎的大語言模型（LLM）和大視覺模型（LVM）。驍龍移動平臺和SK海力士的最高速移動DRAM相結合，智能手機用戶將能夠體驗驚人的AI功能。"

SK海力士DRAM商品企劃擔當副社長柳成洙表示："LPDDR5T DRAM成功滿足了全球客戶對超高性能移動DRAM需求，對此感到很高興。"

柳副社長還補充道："預計今后智能手機將成長為驅動AI技術的核心應用。為此，需要通過移動DRAM持續提高智能手機的性能，公司將繼續加強與高通的合作，努力提高該領域的技術能力。"

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SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態隨機存取存儲器），NAND Flash（NAND快閃存儲器）和CIS（CMOS圖像傳感器）等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多，請點擊公司網站www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

韓國首爾2023年6月8日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，//www.skhynix.com）8日宣布，已開始量產238層4D NAND閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。此前，公司于去年8月成功開發出世界最高238層NAND閃存。

SK海力士強調："公司以238層NAND閃存為基礎，成功開發適用于智能手機和PC的客戶端SSD（Client SSD）解決方案產品，并在5月已開始量產。公司在176層甚至在238層產品，都確保了成本、性能和品質方面的世界頂級競爭力，期待這些產品在下半年能夠起到改善公司業績的牽引作用。"

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。此產品的數據傳輸速度為每秒2.4Gb(千兆比特)，比上一代的速度快50%。并且也改善了約20%的讀寫性能，由此公司自信，可將為采用該產品的智能手機和PC客戶提供更高的性能。

SK海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產品供應238層NAND閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于PCIe 5.0*的PC固態硬盤（SSD）和數據中心級高容量固態硬盤產品等。

*PCIe 5.0：PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）是為高速輸入、輸出數據而開發的串行結構的接口規格。PCIe 5.0可提供PCIe 4.0的二倍帶寬（32GT/s，千兆傳輸/秒）。

SK海力士238層NAND擔當副社長金占壽表示："公司今后將繼續突破NAND閃存技術局限，并加強競爭力，在即將到來的市場反彈周期迎來大轉機。"

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韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，//www.skhynix.com）12日宣布，公司研發的第四代10納米級（1a）DDR5服務器DRAM獲得了英特爾（Intel^®）近期上市的全新第四代Xeon^®服務器處理器（代號為Sapphire Rapids）兼容認證。

SK海力士表示：“公司采用1a納米工藝的DDR5首次在支持DDR5的全新英特爾中央處理器（CPU）上獲得兼容性認可，這是具有里程碑意義的成果。將通過目前在量產的DDR5積極應對增長趨勢的服務器市場，盡早克服存儲器半導體的低迷市況。”

在1月10日(美國時間)公司采用EUV（極紫外線）技術的1a納米DDR5 DRAM產品獲得了英特爾推出的第四代Xeon^®服務器處理器可支持的存儲器認證。

業界一直將英特爾公司的“Sapphire Rapids”作為存儲器半導體行業反彈的關鍵，期待著該產品的上市。因為新一代服務器用CPU上市后，現有的服務器需要進行更換，從而高性能存儲器的銷售會相應出現急劇增長，DDR5就可以滿足需求高性能的客戶要求。專家們預測，DDR5將盡早成為服務器DRAM市場的主力產品。

SK海力士的DDR5與DDR4相比，功耗最多可減少約20%，性能至少提升70%以上，有望為服務器客戶提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。

* 效能功耗比：每一定單位功率每秒可處理的數據容量指標

在此次英特爾的DDR5認證，SK海力士還成功獲得了第二代10納米級(1y)DDR5的認證。據此，公司期待以廣泛的技術為基礎，可以提供客戶16Gb、24Gb等多種DDR5產品，服務器DRAM的銷售將進一步活躍。

SK海力士DRAM商品企劃負責副社長柳成洙表示：“跟進英特爾Sapphire Rapids的上市，我們正在與多數客戶為擴大DDR5的采用進行緊密合作，將在持續增長的服務器市場中鞏固領先地位。”

英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示：“英特爾一直與SK海力士、JEDEC共同努力，為了實現DDR5與我們最新的處理器優化并兼容緊密合作。第四代Xeon^®服務器處理器與DDR5將為數據中心客戶提供最強的性能體驗。”

另外，SK海力士還與英特爾合作發行了DDR5白皮書（White paper）。白皮書包含了DDR5的優點以及基于Sapphire Rapids的1a納米級DDR5優秀性能等內容。公司期待今后對希望采用本公司DDR5的服務器客戶，此白皮書能作為參考資料使用。

<SK海力士DDR5 DRAM開發成果>
- 2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM
- 2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5樣品
- 2023年1月，1a納米級DDR5服務器DRAM全球首獲英特爾認證

* Intel, the Intel logo, and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries.

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韓國首爾2023年1月6日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’，//www.skhynix.com）今日宣布，SK海力士副會長兼聯合CEO樸正浩于在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。

1月4日（美國時間），樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯合CEO郭魯正及其他高層領導，與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。

雙方高層就眾多話題展開討論，涉及半導體與其相關的整體未來產業。

高通公司是全球最大的智能手機應用處理器供應商之一，并且一直致力于將業務擴展至汽車、消費、工業和物聯網等應用領域。

SK海力士表示：“高通公司正在尋求業務擴展機會，此時舉行高層會談恰逢其時。我們期望此次會談能夠為雙方更積極的交流鋪平道路，為我們供應業界頂級的存儲解決方案等國際合作進一步激活提供機會。”

樸副會長表示SK海力士與全球ICT公司的合作將不受地域與行業的限制：“我們將以我們的技術為依托，與全球科技公司積極合作，探索各種商業機會。”

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首爾2022年12月27日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于27日表示，公司將參與明年1月5日至8日在美國拉斯維加斯舉行的世界最大的電子、IT展示會 -- "CES 2023"，展示主力存儲器產品和新的產品陣容。

SK海力士強調："在此次CES上，公司同步SK集團的‘無碳未來'方向，決定將大幅減少碳排放的產品，以‘綠色數字解決方案'為主題進行展示。公司將公開的產品陣容不僅能減少環境影響，在性能和效率方面也比上一代大幅改善，期待能吸引全球科技客戶和專家的眾多關注。"

最近，隨著AI、大數據、無人駕駛、元宇宙等尖端科技產業成長速度的加快，全球技術企業正在關注快速處理急劇增加的數據又能夠提高耗能效率的存儲器半導體。 SK海力士認為，將在CES上展示的產品具備了滿足客戶所需求的高效能功耗比*和性能。

* 效能功耗比：每一定單位功率每秒可處理的數據容量指標

此次公司展示的核心產品是超高性能企業級SSD產品 PS1010 E3.S（以下簡稱PS1010）。PS1010是由多個SK海力士的176層4D NAND結合而成的模組產品,支持PCIe第五代(Gen 5)*標準。

* PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）:電子產品主板上串行結構的高速輸入/輸出接口。其特點是隨著每一代的上升，數據傳輸率提高約一倍。

SK海力士技術團隊解釋說："服務器用存儲器市場在低迷的情況下也在持續增長，在這種情況下，公司展示了匯聚最高競爭力技術的新產品。" 實際上，PS1010與上一代相比，讀寫速度分別最高提升了130%和49%。另外，該產品具備改善75%以上的功耗比，有望降低客戶的服務器運營費用和碳排放量。

尹載然SK海力士副社長（NAND商品企劃負責人）表示："在世界最大規模的展會中推出能夠解決服務器客戶痛點的SSD產品，感到非常自豪。期待以搭載自主開發的控制器與固件的產品為基礎，公司的NAND事業競爭力進一步加強。"

與此同時，展會上SK海力士將展示適用于高性能計算（HPC，High Performance Computing）的新一代存儲器產品，現有最高性能的DRAM"HBM3*"、采用存儲器上添加運算功能的PIM*技術的"GDDR6-AiM"、靈活擴張存儲器容量和性能的"CXL*存儲器"等。

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，比現有DRAM顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能的產品

* PIM（Processing-In-Memory）：在存儲器半導體上添加運算功能，可以解決人工智能(AI)和大數據處理領域的數據傳輸停滯問題的新一代技術

* CXL（Compute Express Link）：為有效構建高性能計算系統，基于PCIe的新一代互聯協議（Interconnect Protocol）

另外，SK海力士的CES展位還將同時展示SK集團旗下能源效率化子公司SK enmove的液浸冷卻(Immersion Cooling)*技術。此技術可以降低半導體服務器啟動溫度，SK海力士計劃今后擴大與集團成員公司以及外部合作伙伴的合作，致力于在整個半導體事業中創造新的附加價值。

* 液浸冷卻（Immersion Cooling）: 將數據服務器直接浸入冷卻油中冷卻的新一代熱管理技術，與現有的空冷式相比，冷卻電力大幅減少，整體電力消耗量可減少約30%

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韓國首爾2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功開發出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*樣品，這是目前業界最快的服務器DRAM產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達8Gbps，較之目前DDR5產品4.8Gbps提高了80%以上。

* DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標準，主要應用于服務器和客戶端，目前已經發展至第五代。MCR DIMM是一種模塊產品，將多個DRAM組合在一塊主板上，能夠同時運行兩個內存列。

*內存列(RANK) ：從DRAM模塊向CPU傳輸數據的基本單位。一個內存列通常可向CPU傳送64字節(Byte)的數據。

該MCR DIMM產品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。

SK海力士技術團隊在設計產品時，以英特爾MCR技術為基礎，利用安裝在MCR DIMM上的數據緩沖器(data buffer)*同時運行兩個內存列。

*緩沖器(Buffer) ：安裝在內存模塊上的組件，用于優化DRAM與CPU之間的信號傳輸性能。主要安裝在對性能和可靠性要求較高的服務器模塊中

傳統DRAM模塊每次只能向CPU傳輸64個字節的數據，而在MCR DIMM模塊中，兩個內存列同時運行可向CPU傳輸128個字節的數據。每次傳輸到CPU的數據量的增加使得數據傳輸速度提高到8Gbps以上，是單個DRAM的兩倍。

該產品的成功開發得益于與英特爾、瑞薩電子的合作。三家公司在從開發到速度和性能驗證的各個階段都進行了緊密的合作。

SK海力士DRAM產品策劃擔當副社長柳城洙認為這款產品的成功開發取決于不同技術的結合。柳城洙表示："SK海力士的DRAM模塊設計能力與英特爾卓越的Xeon處理器、瑞薩電子的緩沖器技術融為一體。為確保MCR DIMM的穩定運行，模塊內外數據緩沖器和處理器能夠順暢交互至關重要。"

數據緩沖器負責從中間的模塊傳輸多個信號，服務器CPU則負責接受和處理來自緩沖器的信號。

柳副社長還表示："開發出業界速度最快的MCR DIMM充分彰顯了SK海力士DDR5技術的又一長足進步。我們將繼續尋求突破技術壁壘，鞏固在服務器DRAM市場的領導地位。"

英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博士表示，英特爾與SK海力士在內存創新、針對服務器的高性能、可擴展的DDR5領域處于領先地位，在同一梯隊的還有其他一些主要的行業合作伙伴。

"此次采用的技術源于英特爾和關鍵業界合作伙伴多年的共同研究，極大提高了英特爾Xeon處理器可提供的帶寬。我們期待該技術能夠應用到未來的英特爾Xeon處理器上，支持業界的標準化和多世代開發。"

瑞薩電子副總裁兼Memory Interface部門長Sameer Kuppahalli表示，該數據緩沖器從構思到實現產品化歷經三年，"對于能夠攜手SK海力士和英特爾將該技術轉化為優秀的產品，我們深感自豪。"

SK海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動下， MCR DIMM的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產該產品。

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• 公司全球首發238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產
• 成功研發層數最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產效率、數據傳輸速度、功耗等特性
• "公司將持續創新并不斷突破技術瓶頸"

韓國首爾2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存。

近日，SK海力士向客戶發送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產。公司表示："自2020年12月完成176層NAND閃存研發以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技術的研發。此次238層NAND閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積，其意義更加非凡 。"

* NAND閃存芯片根據每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等規格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以存儲的數據越多。

當天，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238層NAND閃存新產品。在峰會主題演講中，崔正達SK海力士NAND閃存開發擔當說道："基于其4D NAND閃存技術，SK海力士全球首次成功研發了238層NAND閃存，進而確保了成本、性能、產品質量等層面的全球領先競爭力。公司將持續創新，并不斷突破技術瓶頸。"

* 閃存峰會(FMS，Flash Memory Summit)：系每年定期在美國加州圣克拉拉舉辦的全球閃存芯片領域的最高級別研討會。SK海力士于本次峰會與其NAND閃存解決方案子公司Solidigm聯合進行了主題演講。

SK海力士在2018年研發的96層NAND閃存就超越了傳統的3D方式，并導入了4D方式。為成功研發4D架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。

* 電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash)

浮柵型(FG，Floating Gate)閃存技術將電荷存儲在導體1)中，而CTF將電荷存儲在絕緣體2)中，以解決單元間的干擾問題。因此，相比FG技術，CTF可縮小芯片的單元面積，同時提高數據的讀寫性能。

* PUC (Peri Under Cell)

將外圍(Peri.)電路放置在存儲單元的下方, 以最大化生產效率。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數的同時，實現了業界最小的面積。新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產效率也提高了34%。

此外，238層NAND閃存的數據傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產品提高了50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了21%。可以說，SK海力士通過節省芯片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點的進步。

SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應用范圍為PC用存儲設備）供應238層NAND閃存，隨后將其導入范圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器SSD等。公司還將于明年發布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產品，其密度是現有產品的兩倍。

首爾2022年6月9日 /美通社/ -- SK海力士（或稱“公司”，www.skhynix.com）宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。

* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存，其數據處理速度大幅領先于傳統 DRAM。HBM3 DRAM 是第四代 HBM 產品，此前三代分別為 HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及 HBM2E（第三代）。

SK海力士于去年十月宣布成功開發出業界首款 HBM3 DRAM，時隔七個月即宣布開始量產，這有望進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位。

隨著人工智能和大數據等尖端技術的加速發展，全球主要科技企業正在探索創新方法，以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統 DRAM，HBM 在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢，有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。

英偉達（NVIDIA）在近日完成了對 SK海力士 HBM3 樣品的性能評估。SK海力士將向英偉達系統供應 HBM3，而該系統預計將在今年第三季度開始出貨。SK海力士也將按照英偉達的計劃，在今年上半年增加 HBM3 產量。

備受期待的英偉達 H100 被認為是當前全球范圍內最大、性能最強的加速器。SK海力士的 HBM3 帶寬可達 819GB/s，有望增強加速計算的性能。這個帶寬相當于能夠在每秒傳輸 163 部全高清（Full-HD）電影（每部影片約 5GB）。

SK海力士社長（事業總管）盧鐘元表示，與英偉達的緊密合作使得SK海力士在高端 DRAM 市場穩獲一流的競爭力。“我們的目標是通過持續、開放式協同合作，成為洞悉和解決客戶需求的解決方案提供商（Solution Provider）。”

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其中“間接經濟效益 (包括納稅、就業、分紅等)”部分為9.7201萬億韓元，“環境效益”部分為-9527億韓元，“社會效益”的部分則為6499億韓元。

得益于2021年創下公司成立以來最高記錄的銷售額，SK海力士該年度間接經濟效益創造的社會價值較之2020年增長81%(+4.3465萬億韓元) ；社會效益方面，由于加大力度參與促進半導體生態系統發展及針對弱勢群體的活動，所創造的社會價值增長44%(+1985億韓元)。但受2021年全球半導體需求增長導致生產量增加的影響，溫室氣體排放總量增加，使得負面影響層面的社會價值增加了2% (-150億韓元)。

就間接經濟效益而言，公司在納稅、就業、分紅等各個領域均有增長，其中因利潤的增加，納稅額較上一年度增長160%(+2.3633萬億韓元)；就業方面，員工數量和薪資規模增長56% (+1.7245萬億韓元)。此外，通過積極回報股東，分紅增加了32%(+2586億韓元)。

但是，由于產量擴大導致資源消耗和溫室氣體排放量增加，SK海力士2021年在環境效益所創造的社會價值方面出現負增長。具體而言，資源消耗/環境污染領域的負面成本增加3%(-242億韓元)，但低功耗產品/服務的業績增長128%(+91億韓元)部分抵消了負面影響。

SK海力士負責人表示：“通過積極參與綠色溢價制度*減少對環境影響，降低溫室氣體排放、擴大廢水再利用等舉措，我們單個生產單位的溫室氣體排放量比上一年有所下降。但作為一家企業，我們還是對環境產生了負面影響，對此我們深表歉意。今后，我們將繼續為改善環境而努力。”

*綠色溢價制度：電力消費者為使用由可再生能源生產的電力，在現有電費基礎上追加購買額外溢價的收費制度。

在共同發展方面的社會效益大幅提升。SK海力士一直為合作伙伴提供技術支持與教育培訓，為促進半導體生態系統發展而努力。此外，公司通過與合作伙伴共同開發相關技術，為材料、零部件、設備的國產化做出了貢獻。因此，去年共同發展成果同比增加了56%(+1806億韓元)。

社會效益方面，公司在疫情期間主要以非線下方式持續開展活動，因此社會效益較2020年增長9%(+97億韓元)。另外，通過社會性企業支持活動，在“提高弱勢群體生活質量的成果”方面增長45%(+82億韓元)。

SK海力士可持續經營擔當副社長金潤郁表示：“SK海力士自2019年始已連續四年公布社會價值成果，與利益相關方進行坦誠、透明的溝通。在創造社會價值方面，今后公司將加強對中長期目標‘社會價值 2030'的執行力度，強化ESG發展，為人類和社會的發展做出貢獻。”

* 可登錄公司全球新聞中心（news.skhynix.com.cn）查詢 SK海力士創造社會價值的具體案例及詳細計算公式

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韓國首爾2022年2月16日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM（processing-in-memory，內存中處理）”¹⁾。

到目前為止，存儲半導體負責保存數據，而非存儲半導體（如CPU或GPU）負責處理數據是人們普遍的認知。盡管如此，SK海力士依然在新一代智能存儲器領域積極摸索創新，進而首次公開公司在相關領域的研發成果。

SK海力士計劃在2月底于美國舊金山舉行的半導體領域最負盛名的國際學術大會 -- 2022年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態電路會議）²⁾大會上發布PIM芯片技術的開發成果。隨著PIM技術的不斷發展，SK海力士期待存儲半導體在智能手機等ICT產品發揮更為核心的作用，甚至在未來成功實現“存儲器中心計算（Memory Centric Computing）”。

SK海力士還開發出了公司首款基于PIM技術的產品 - GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory，內存加速器^3））的樣本。GDDR6-AiM是將計算功能添加到數據傳輸速度為16Gbps的GDDR6內存的產品。與傳統DRAM相比，將GDDR6-AiM 與 CPU、GPU 相結合的系統可在特定計算環境中將演算速度提高至最高16倍。GDDR6-AiM有望在機器學習、高性能計算、大數據計算和存儲等領域有廣泛應用。

GDDR6-AiM的工作電壓為1.25V，低于GDDR6⁴⁾內存的標準工作電壓（1.35V）。不僅如此，PIM的應用還減少了與CPU、GPU的數據傳輸往來，從而降低了CPU及GPU的能源消耗，借此GDDR6-AiM成功使功耗降低80%。SK海力士相信，借助該產品的低能耗特性，公司得以減少設備的碳排放并改善公司的ESG經營成果。

此外，SK 海力士還計劃與最近剛從SK電訊拆分出來的人工智能半導體公司SAPEON Inc.攜手合作，推出將GDDR6-AiM和人工智能半導體相結合的技術。SAPEON Inc. CEO 柳秀晶表示：“近年來，隨著人工神經網絡數據的使用量迅速增加，針對相關計算特性進行優化的演算技術的需求也在日益增加的趨勢。我們將結合兩家公司的技術，在數據計算、成本和能耗方面最大限度地提高效率。”

SK海力士解決方案開發擔當副社長安炫表示：“基于具備獨立計算功能的PIM技術，SK海力士將通過GDDR6-AiM構建全新的存儲器解決方案生態系統。公司將為不斷調整業務模式并倡導技術創新的新方向而努力。”

1) PIM（processing-in-memory，內存中處理）：為內存半導體結合計算功能的下一代技術，系針對人工智能和大數據處理過程中數據傳輸瓶頸問題的解決方案。

2) ISSCC：指國際固態電路會議。該會議將于2022 年2月20日至24日線上舉行，主題為“面向可持續世界的智能硅片（Intelligent Silicon for a Sustainable World）”

3) 加速器（Accelerator）：指由針對特定信息處理及演算需求專門設計的芯片組成的特殊功能硬件設備。

4) 圖形DDR（GDDR）：由電子器件工程聯合委員會（JEDEC）定義的圖形DRAM的標準規格。圖形DRAM的標準規格依GDDR3-GDDR5-GDDR5X-GDDR6迭代演變，是專門用于更快速地處理圖形的內存規范。最近，圖形DDR作為人工智能和大數據應用領域最為廣泛采納的內存解決方案而備受關注。

關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。

ISO 26262認證是國際標準化組織（ISO）于2011年制定的關于汽車功能安全系統的國際標準，旨在預防因汽車電氣和電子系統故障引發的事故。此次授予SK海力士的這項認證是依據ISO 26262:2018最新版本的標準，其中新增了對汽車半導體的附加要求。在汽車行業，安全、質量和可靠性至關重要。因此，汽車零部件生產商必須滿足ISO 26262標準。

SK海力士說明，獲取這項認證為SK海力士引領車用存儲半導體市場的發展奠定了堅實的基礎，并強化了公司的產品競爭力。公司達到了業內汽車安全完整性等級（ASIL）最高評級，即ASIL-D認證，這是四個認證等級（A~D）中最高的等級，進一步證實了SK海力士的產品安全水平達到了業內最高水準。

本次通過FSM認證的SK海力士產品是8Gb LPDDR5 DRAM。LPDDR5是一款高容量、高性能、低功耗的內存組件，對于高級駕駛輔助系統（ADAS）和自動駕駛汽車技術至關重要。SK海力士將繼續鞏固自身在汽車半導體市場的地位，為車用半導體產品群陸續追加通用閃存存儲（UFS）和HBM2E、HBM3等高帶寬內存等。

SK海力士汽車業務擔當副社長沈大用表示：“這項認證證明了SK海力士的汽車半導體產品擁有世界領先的功能安全技術，得益于此，我們計劃擴大與汽車行業客戶的戰略合作伙伴關系。”SK海力士品質系統擔當副社長宋埈豪補充道：“為確保不斷發展的汽車內存市場主導權，SK海力士將繼續提升我們產品的安全性、質量和可靠性。”

根據市調機構Strategy Analytics的數據，到2028年，整個ADAS內存市場規模預計將增長近三倍，年均增長率（CAGR）將達到24.5%（以銷售額為準）。

HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術*，由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價值產品，創新性地提高了數據處理速度。

SK海力士去年7月在業界首次開始批量生產HBM2E* DRAM后，時隔僅1年零3個月開發了HBM3，鞏固了該市場的主導權。

SK海力士強調，“通過此次HBM3，不僅實現了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質量水平。”

SK海力士研發的HBM3能夠每秒處理819GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸 163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。

與此同時，該產品還內置了ECC校檢(On Die-Error Correction Code)。HBM3通過該內置型ECC校檢可以自身修復DRAM單元(cell)的數據的錯誤，因此產品的可靠性也大幅提高。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業界最大的容量。為了實現24GB，SK海力士技術團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10^-6m)，相當于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV技術垂直連接12個芯片。

HBM3將搭載高性能數據中心，有望適用于提高人工智能(AI)完成度的機器學習(Machine Learning)和分析氣候變化，新藥開發等的超級計算機。

負責SK海力士DRAM開發的車宣龍副社長表示，“該公司推出了全球首款HBM DRAM，引領了HBM2E市場，并在業界內首次成功開發了HBM3。公司將鞏固在高端存儲器市場的領導力，同時提供符合ESG經營的產品，盡最大努力提高客戶價值。”

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SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

自從10納米級DRAM產品開始，半導體業內將每一代工藝節點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節點。公司預計從下半年開始向智能手機廠商供應適用1a納米級技術的移動端DRAM。

此次量產的產品是SK海力士首次采用EUV技術進行量產的DRAM，其意義非凡。SK海力士在此前生產1y納米級產品過程中曾部分采用了EUV技術，事先完成了對其穩定性的驗證。

工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續導入EUV設備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當中。業界認為采用EUV技術的水平將成為今后決定技術領導地位的重要因素。SK海力士通過此次量產確保了EUV工藝技術的穩定性，并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進行生產。

SK海力士期待通過新產品生產效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級工藝的同樣規格產品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產出的產品數量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續增長的背景下，公司期待1a納米級DRAM在全球存儲半導體供需中扮演重要角色。

此次新產品穩定支持 LPDDR4 移動端DRAM規格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產品其功耗也降低了約20%. SK海力士認為此次新產品進一步強化了低功耗的優勢，助力碳排放量的減少，充分體現了SK海力士注重ESG（環境、社會、公司治理）經營的精神理念。

在本次LPDDR4產品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

SK海力士1a納米級DRAM領導小組（Task Force）的曹永萬副社長表示：“此次量產的1a納米級DRAM在生產效率和成本競爭力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。通過將EUV技術全面導入量產程序，SK海力士有望進一步鞏固引領尖端技術的高新企業地位。”

SK海力士此次實現量產的產品將搭載于最高配置的旗艦智能手機，為高分辨率游戲與視頻處理需求提供最佳的性能體驗。公司預測此產品的適用范圍隨后將通過超高性能的攝像軟件與人工智能等最新技術的支持陸續擴大。

SK海力士相關人士表示：“18GB LPDDR5 移動端DRAM與此前16GB產品相比具備更大的容量，有效提升了數據臨時存儲空間。”

此次量產的產品處理速度高達6400Mb/s，與至今搭載于智能手機的移動端DRAM(LPDDR5, 5500Mb/s)相比提升約20%。6400Mb/s的傳輸速率意味著能夠在1秒內傳輸十部全高清(Full-HD, FHD)電影。

SK海力士期待移動端廠商通過此產品將能夠發布相較前一代產品具備更高性能的智能手機。

SK海力士計劃將此產品供應于華碩(ASUS)即將發布的"ROG(Republic of Gamers) 5"游戲智能手機產品，由此正式開始量產。

據OMDIA市場調查機構數據顯示，現在LPDDR5 DRAM的需求量已占據整個移動端DRAM市場的10%，通過持續擴大尖端技術終端領域的適用范圍預估LPDDR5 DRAM的市占率在2023年將有望超過50%。

關于SK海力士

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簽約儀式上，大連市副市長靳國衛表示：“近年來，大連市信息技術產業發展勢頭強勁，已成為全市發展最快、活力最強的支柱產業之一。在信息技術產業發展進程中，我們把加強與國內外知名企業合作作為提升產業發展水平的重要途徑。如今SK海力士與大連市達成合作，標志著大連市與SK海力士進入了密切合作的新階段。我們將大力配合SK海力士在大連的項目推進，促進項目的順利交接與過渡；同時，繼續加速技術創新，培育并壯大本地產業集群，不斷增強大連市信息技術產業的整體規模和核心競爭力，為打造中國東北地區對外開放新前沿增添新的活力。”

SK海力士首席副社長盧鐘元也表示：“SK海力士已深耕中國市場超過17載，一直秉承與中國市場共生共榮的愿景，不斷加大人才、技術和資金等實質性的支持，共同推進產業生態鏈的建設和完善。今天，合作諒解備忘錄的簽署標志著SK海力士和大連市的合作正進一步深化，我們期望這一合作將有助于帶動和提升大連市的產業創新能力。同時，作為合作伙伴，SK海力士將認真履行應承擔的合作義務，并探索在更廣泛領域與大連開展更多合作。”

去年，SK海力士正式宣布將以90億美元收購英特爾NAND閃存及存儲業務。該收購包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件和晶圓業務，這其中也包括在中國大連金普新區的芯片廠。此次交易將為半導體行業創造更多機遇，促進更多元的競爭與發展；也將為大連的信息產業發展帶來更多新機遇。

根據合作諒解備忘錄，SK海力士將繼續對大連芯片廠進行投資與建設，大連市政府將為大連芯片廠的順利交接與過渡提供必要支持。除此之外，SK海力士還將與大連市政府在更廣泛的領域開展合作，包括共同推進可持續城市發展、助力當地區域經濟繁榮、建立起大連信息技術產業創新生態系統和產業集群。合作諒解備忘錄的簽署，有助于帶動和提升大連的產業創新能力，推動大連市信息技術產業實現進一步發展，并使大連在東北地區經濟發展的龍頭作用進一步突出。

自2004年初次建立起中國芯片廠，SK海力士一直以來積極布局在華投資，至2020年已累計在中國投資超過200億美元。SK 海力士堅持追求經濟價值和社會價值的DBL（Double Bottom Line，雙重底線）經營原則，在全公司社會責任戰略“解決社會問題并以地方社會為中心的社會公益”的指導下，致力于解決社會關注的教育、環境等問題，用實際行動回饋社會。此外，隨著在中華地區的業務的不斷拓展，SK海力士非常重視中國本土人才的招募及培養，并為當地創造了眾多就業機會以及建立人才培養系統。目前，SK海力士已直接聘用了7,000多名中國本地員工，未來 SK海力士也希望通過與大連市的合作為大連帶來更多就業機會，培養更多專業人才。

今后，SK海力士將繼續深耕中國市場，并加大在大連市場的投資與發展，積極攜手政府、企業、高校和社會各界力量賦能中國信息技術產業的發展，創造更為美好繁榮的“芯”未來！

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圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM

圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM

SK海力士于2018年11月成功開發全球首款16Gb DDR5 DRAM之后，向英特爾等核心客戶提供樣品，并完成了一系列測試與性能、兼容性驗證等程序。此番成果意味著SK海力士在即將到來的DDR5市場隨時能夠銷售相關產品。

期間，SK海力士與SoC¹⁾（System On Chip）開發公司等不同企業共同運營現場分析研究室，并通過共同執行系統級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產品的性能驗證。與此同時，SK海力士還與諸多公司緊密合作，進行了包括RCD²⁾（Register Clock Driver）、PMIC³⁾（Power Management IC）等構成模組的主要部件的兼容性驗證。

SK海力士推出的DDR5 DRAM的數據傳輸速率高達4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著能夠在1秒內傳輸九部全高清（Full-HD, FHD）電影。不僅如此，該產品的動作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V，成功減少了20%的功耗。

SK海力士DDR5 DRAM的另一個顯著特征是其芯片內置型錯誤糾正代碼（Error Correction Code, ECC）；內置ECC能夠依靠自身功能修復DRAM單元（cell）單字節單位的錯誤。有助于該特性，采用SK海力士DDR5 DRAM的系統的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技術相結合，更能夠組成容量高達256GB的高容量模組。

SK海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環保的DDR5 DRAM將幫助數據中心降低其功耗及運營成本。

英特爾數據平臺部門（Data Platforms Group）的Carolyn Duran副總裁（Vice President）表示：“為了樹立基于JEDEC標準的初期結構概念（early architecture concept）并完成DDR5標準規格的開發，英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關系。雙方為了確保產品性能，進行了試制產品的設計、驗證；這意味著兩家公司已經做好了滿足客戶需求的準備。”

吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer, CMO）則表示：“SK海力士成功推出世界首款DDR5 DRAM，得以在DRAM市場占據未來技術優勢。我公司將重點瞄準快速成長的高端服務器市場，進一步鞏固在服務器DRAM領域擁有的領先地位。”

固態技術協會（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于2020年7月正式發布了DDR5 DRAM的標準規格。

而市場調研機構Omdia分析指出，對DDR5的市場需求將從2020年開始逐步顯現；其市占率將在2022年占整個DRAM市場的10%，2024年則將進一步擴大至43%。

新思科技（Synopsys），瑞薩（Renesas），瀾起科技（Montage Technology），Rambus等企業也紛紛表示將為了打造DDR5生態圈而保持緊密合作關系。

負責IP營銷與戰略的John Koeter新思科技高級副總裁指出：“通過與SK海力士的合作，新思科技將為需要超高速、高容量存儲器的高性能計算（High Performance Computing, HPC）SoC提供高信賴度的DDR5解決方案。新思科技通過SK海力士的DDR5 RDIMM模組，在最大傳輸速率6,400Mbps的環境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的驗證，這意味著將設計者的風險最小化的同時，能夠實現數據密集型的高性能SoC。”

Rami Sethi瑞薩副總裁兼數據中心業務部門（Data Center Business Division）總經理（General Manager）表示：“瑞薩在過去二十年作為倡導存儲器接口市場的企業，對與諸多合作公司及客戶建立的合作關系感到十分自豪。通過此番與SK海力士的緊密合作，瑞薩成功完成了涉及服務器、客戶、內置系統等諸多應用領域的DDR5 DRAM產品的驗證。”

負責銷售與經營開發（Sales and Business Development）的Geof Findley瀾起科技副總裁則表示：“我們非常高興能夠與SK海力士為了打造DDR5存儲器生態圈而相互合作。瀾起科技在早期DDR存儲器萌芽之際就已經與SK海力士展開了合作關系，我公司承諾持續提供高性能、低能耗的存儲器接口解決方案。目前，瀾起科技能夠提供涵蓋不同領域的全方位DRAM模組接口產品，很高興能夠再次與SK海力士合作，為DDR5市場的加速發展添一份力。”

Chien-Hsin Lee Rambus副總裁兼集成電路部門（Integrated Circuits）總經理認為：“我們非常高興在實現下一代新技術等領域與SK海力士合作，進而為營造DDR5生態圈貢獻。我們相信，采用全新存儲器接口的DDR5 DRAM模組將幫助提升服務器性能，并滿足需要高容量、高帶寬存儲器的數據中心市場的需求。”

注解

- SoC (System on Chip)

又稱系統級芯片，指將與中央處理器（CPU）及系統Bus相結合的周邊電路裝置（存儲器控制器、PCIe Bus等）集成至單一芯片的解決方案。

- RCD (Register Clock Driver)

又稱寄存時鐘驅動芯片，是用于服務器DRAM模組（RDIMM、LRDIMM）的有源元件（active element），其功能是放大從存儲器控制器適用至存儲器的指令及數據信號，進而保障發射機（transmitter）與接收機（receiver）之間信號品質。

- PMIC (Power Management Integrated Circuit)

又稱電源管理集成電路，指接收主電源輸出并為電子設備提供其所需的穩定、高效的電壓、電流的集成電路；PMIC是在DDR5這一代被DRAM模組首次采用。

關于SK海力士

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