北京2015年7月15日電 /美通社/ -- ，全球領先的高(gao)(gao)性(xing)能信號處理解決方(fang)案供應(ying)商，近日推出 HMC1127 和 HMC1126 MMIC（單芯片微波集成電路(lu)）分布式功率(lv)放大器。 這些新型功率(lv)放大器裸片涵蓋 2-50 GHz 的頻率(lv)范圍，可簡化系統設(she)(she)計并提(ti)高(gao)(gao)性(xing)能，頻段(duan)之(zhi)間無需(xu)射頻開關。 各(ge)放大器 I/O 內部匹(pi)配 50 Ω 阻抗，方(fang)便輕松(song)集成到多芯片模(mo)塊中。 所有數據(ju)均(jun)由芯片獲取，芯片通過長0.31 mm （12 mil）的兩條 0.02 mm （1 mil）線焊連接。 HMC1126 和 HMC1127 基于 GaAs（砷(shen)化鎵）pHEMT（贗(yan)晶(jing)型高(gao)(gao)電子遷移率(lv)晶(jing)體(ti)管）設(she)(she)計，非常適合儀(yi)(yi)器儀(yi)(yi)表、微波無線電與(yu) VSAT 天(tian)線、航空航天(tian)與(yu)防務系統、電信基礎設(she)(she)施以及光(guang)纖應(ying)用(yong)。

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HMC1127 GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器主要特性： 

• P1dB輸出功率： 12.5 dBm
• Psat輸出功率： 17.5 dBm
• 增益： 14.5 dB
• 輸出IP3： 23 dBm
• 電源電壓： +5 V （80 mA）
• 50 Ω 匹配輸入 / 輸出
• 裸片尺寸： 2.7 x 1.45 x 0.1 mm

HMC1126 GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器主要特性： 

• P1dB 輸出功率： 17.5 dBm
• Psat 輸出功率： 21 dBm
• 增益： 11 dB
• 輸出IP3： 28 dBm
• 電源電壓： +5 V （65 mA）
• 50 Ω 匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.3 x 1.45 x 0.1 mm

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