北京2017年9月21日電 /美通社/ -- 在(zai)9月19日于北京舉行的英特(te)爾(er)精尖制(zhi)造日上(shang)，英特(te)爾(er)在(zai)其展示區域和主題演講(jiang)上(shang)展示了五款(kuan)晶(jing)(jing)圓。這(zhe)是英特(te)爾(er)首次(ci)公開展示這(zhe)五款(kuan)晶(jing)(jing)圓，彰顯了英特(te)爾(er)在(zai)制(zhi)造領(ling)域取得的巨大進步。

這五款晶圓(yuan)包括：英(ying)特爾10納(na)米(mi)Cannonlake、英(ying)特爾10納(na)米(mi)Arm測試芯片(pian)、英(ying)特爾22FFL、14納(na)米(mi)展(zhan)訊SC9861G-IA和14納(na)米(mi)展(zhan)訊SC9853I。

英特爾Cannonlake采用10納米制程工藝，不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距，還采用了超微縮特性，這兩大優勢保證了密度的領先性，比競爭友商的“10 納米”技術領先了整整一代，計劃于2017年下半年開始生產。超微縮可釋放出多模式方案的全部價值，使得英特爾得以繼續摩爾定律的經濟效益。

英特(te)爾(er)10納(na)米Cannonlake

英特爾與Arm在10nm的合作取得了長足進步。英特爾10nm CPU測試芯片流片具有先進的Arm CPU核， 使用行業標準的設計實現，電子設計自動化(EDA)  Place and Route工具和流程，性能(neng)高達(da)3GHz以上。ARM同(tong)時(shi)正在開發高性能(neng)存(cun)儲器(qi)、邏輯(ji)單元(yuan)和(he)CPU POP套件，以進一步擴展(zhan)下一代ARM CPU在英特爾10nm技術上的性能(neng)水平。

英特爾10納米Arm測(ce)試芯片

-   ARM Cortex A75: Intel 10nm 測(ce)試(shi)芯片

• 在12周內從RTL 至首次Tape Out
• 標準英特爾10nm工藝
• 最新的軟件測試結果 > 3.3GHz
• 250uW/MHz

英(ying)特爾22FFL（FinFET 低功耗）平臺旨在推動FinFET的(de)大規模應用。它(ta)具備：

英(ying)特爾 22FFL

卓越集成能力

• 一流的 CPU 性能，主頻超過 2 GHz
• 超低功耗，漏電率降低 100 倍
• 22 納米+ 制程，每平方毫米 1,780 萬個晶體管
• 全面的 RF 設計支持

快速上市速度

• 行業最易使用的FinFET 制程
• 成熟生產平臺，具備業經驗證的22/14 納米特性
• 經過芯片驗證的移動/物聯網 IP 組合
• Arm 庫和 POP 套件
• 英特爾架構處理器 IP 套件
• 交鑰匙代工服務與支持

Cost-effective的設計

• 與業界28納米的平面(planar)工藝相比在成本上極具競爭力
• 單模式互聯和寬泛的 DFM 規則
• 無復雜的襯底偏壓要求

理想應用

• 入門級/經濟型智能手機
• 車載
• 可穿戴設備

展訊的 SC9861G-IA 和 SC9853I 移動 AP 均使用英特爾(er)的 14 納米(mi)低功耗(hao)平(ping)臺制造而成，這(zhe)兩款移動 AP 分別于 2017 年(nian) 3 月(yue)和 8 月(yue)推出，同時還使用了英特爾(er) Airmont CPU 架構。

14納米(mi)展訊 SC9853I

14納米展(zhan)訊 SC9861G-IA

英特爾的 14 納米平臺(tai)適用于制(zhi)造需(xu)要高性能和低漏(lou)電功耗的產品

• 第二代 FinFET 技術
• 行業領先的 PPA，每平方毫米 3,750 萬個晶體管
• 一流的 CPU 性能，主頻超過 2.5 GHz

快速上市速度

• 業經驗證的 14 納米 HVM（大規模量產） 技術
• 經過芯片驗證的移動/網絡 IP 組合
• 交鑰匙代工服務與支持

兩個平臺滿足您的全部產(chan)品需求

• 通用 (GP)
• 低功耗 (LP)

理想應用

• 主流移動
• 數據中心