深圳(zhen)2021年(nian)(nian)3月(yue)(yue)17日 /美通(tong)社/ -- 2021年(nian)(nian)是DDR內(nei)(nei)存(cun)技(ji)術升級(ji)換代的(de)快速發(fa)(fa)展階(jie)段，自2020年(nian)(nian)以來，5G、AI、汽車、電競(jing)市場需求的(de)居高不下，加速推動了(le)DDR產品迭(die)代以及(ji)(ji)技(ji)術升級(ji)。2020年(nian)(nian)7月(yue)(yue)中旬JEDEC固態存(cun)儲協會正式發(fa)(fa)布DDR5 SDRAM內(nei)(nei)存(cun)標(biao)準規范后(hou)，DDR5新技(ji)術應(ying)用受到業內(nei)(nei)的(de)關(guan)注(zhu)以及(ji)(ji)專業領(ling)域的(de)探索。
江波龍電子（以下簡稱“Longsys”）緊跟存儲技術發展前沿，為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來產品技術發展的期望，進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性，在今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品（ES1）。此外，Longsys旗下技術型存儲品牌FORESEE以及高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙也將為各自主要應用領域提供強有力的支持。
江波龍電子DDR5內存(cun)產品
DDR5內存速率最高可達6400Mbps
是DDR4的兩倍
此次DDR5的產品發布，涉及兩款全新架構產品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4，DDR5在功能(neng)和(he)性能(neng)上都(dou)得到(dao)了顯著提升。
產品系列 |
DDR5 UDIMM |
DDR5 UDIMM |
容量 |
16GB |
32GB |
設計參考 |
JEDEC R/C A 0.50 |
JEDEC R/C B 0.51 |
設計架構 |
1Rank x8 / 288PIN |
2Rank x8 / 288PIN |
速度 |
4800Mbps |
4800Mbps |
延遲時序 |
CL 40 |
CL 40 |
VDD/VDDQ/VPP |
1.1V/1.1V/1.8V |
1.1V/1.1V/1.8V |
工作溫度 |
0攝氏(shi)度 ~ +95攝氏(shi)度 |
0攝氏(shi)度 ~ +95攝氏(shi)度 |
儲存溫度 |
-55攝氏(shi)度 ~ +100攝氏(shi)度 |
-55攝氏(shi)度(du)(du) ~ +100攝氏(shi)度(du)(du) |
DRAM P/N |
MT60B2G8HB-48B:A |
MT60B2G8HB-48B:A |
DRAM 密度 |
16Gb(2Gx8) |
16Gb(2Gx8) |
PCB Layout |
8 Layer |
8 Layer |
PCB 尺寸 |
133.35 * 31.25 * 1.27 mm |
133.35 * 31.25 * 1.27 mm |
全方位數據測試
性能穩定突出
Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累，在DDR5新一代產品上率先開展測試技術投入，此次測試特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。其中，展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板，搭配Longsys DDR5 32GB內存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統，分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。
通過BIOS了解到DDR5新(xin)架構采用了兩個(ge)完(wan)全獨(du)立的(de)32位通道
1 魯大師測試數據
首先呈現的是硬件配置，內存識別為Longsys ID。
通過魯大師測試，Longsys DDR5 32GB的跑分高達19萬分有余。
2 AIDA64測試數據
通過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。
為了更加直觀地體現性能的提升力度，還加入了DDR4的測試對比。根據數據顯示，Longsys DDR5在性能上實現了跨越式提升。
Production |
Longsys DDR5 |
Longsys DDR4 |
各指標性能提升能力 |
|
CL |
40 |
22 |
||
AIDA64 |
Read |
35844 |
25770 |
40% |
Write |
32613 |
23944 |
36% |
|
Copy |
28833 |
25849 |
11% |
|
Latency |
112.1 |
56.8 |
-- |
|
魯大師 |
內存跑分 |
193864 |
91757 |
110% |
核心指標揭秘
Longsys DDR5新技術強大之處
功能/指標 |
技術/參數 |
糾錯模式 |
支(zhi)持On-die-ECC |
預取模式 |
支(zhi)持16n Prefetch模式（BL16） |
端到端接收模式 |
擴展(zhan)增加CA/CS類信(xin)號ODT |
均衡模式 |
支(zhi)持DFE技術（增強信號(hao)完(wan)整性） |
電源管理模式 |
增加(jia)PMIC集(ji)成功能 |
刷新模式 |
支持SAME-BANK Refresh技術 |
通道模式 |
內置(zhi)獨立雙通道(dao)機制 |
陣列分層模式 |
支持8個BG，共32個Banks |
糾錯能力增加
在優化DDR5 DRAM內核運算能力上，Longsys DDR5增加內置糾錯碼（ECC），全面實(shi)現數(shu)據(ju)糾錯能力，進(jin)一步提高數(shu)據(ju)完整性，同時(shi)也緩解(jie)了系(xi)統(tong)錯誤校正負擔并充(chong)分利(li)用(yong)DRAM讀寫的(de)高效機制(zhi)。
增加16n的預取模式
BL16使得Longsys DDR5內存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍，信號能夠(gou)更完(wan)整高效地傳遞(di)。本次DDR5 DIMM新(xin)架構采用了兩個完(wan)全獨(du)立的(de)32位通道(dao)，提高了并(bing)發性(xing)，并(bing)使(shi)系統中可用的(de)內存通道(dao)增加(jia)了一倍。
端到端的接收模式的強化
在DDR5新技術應用中除了DQ/DQS/DM繼續采用ODT功能，增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此，Longsys DDR5內存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應，讓信號傳輸更加純凈。
DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5內存使Bank Group的數量增加了一倍，并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統的整體效率，允許更多頁面同時被打開。
SAME-BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根(gen)據標準還實現了一個(ge)新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個(ge)BG中的一個(ge)Bank，使所(suo)有其他Banks保持打開狀(zhuang)態(tai)以繼續正常操(cao)作。
FORESEE DDR5 內存模組產品（ES1）
未來的應用場景不斷革新和進步，對存儲技術提出了更嚴苛的要求，亦大大加速了DDR5發展進程，各大主流平臺對于DDR5的支持也推進迅速。Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅動DRAM內存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業應用領域，比如服務器、云計算、數據中心、高性能計算機等應用領域均有望得到重點部署，此次迭(die)代也為(wei)行業客戶提供了(le)更出色的內(nei)存解(jie)決方案。
Lexar雷克沙 DDR5 內存模組產品（ES1）
隨著全球大量資本進入電競市場，促進了電競行業日漸普及與成熟，這也讓電競玩家對內存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗，亦能帶動電競行業的可持續性發展。非(fei)但如此，對于白領用戶，特別是(shi)設(she)計師、剪(jian)輯師等對設(she)備性(xing)(xing)能有剛需的職業(ye)，Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦(ban)公效率，將更多(duo)時間留給創造性(xing)(xing)工作。
結語
盡管Longsys內存產品線起步較晚，但能夠在技術創新的征途上愈戰愈勇，源于Longsys專注存儲行業20余年的技術底蘊，以及打造高品質存儲產品的決心。截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數達到838個，其中境外專利申請178項；已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項；軟件著作權65項。在(zai)緊握(wo)自主創新能力的同時，注(zhu)重(zhong)對知識產權的保護(hu)。
今年，Longsys內存(cun)產品(pin)線仍將精(jing)益求精(jing)，持續(xu)提供更(geng)多的DDR5產品(pin)規格和技術服(fu)務，助力行業客(ke)戶、終端用戶投入(ru)DDR5到未來的應用場景(jing)中(zhong)，為(wei)存(cun)儲生態領域增添色彩。
