韓國首爾2021年4月6日 /美通社/ --  韓國唯一一家純晶圓代工公司啟方半導體(Key Foundry) 今天宣布，該公司已成功開發出面向汽(qi)車半導體應用的第二(er)代0.13微米嵌入式閃存工藝，年(nian)內就將(jiang)全面投(tou)入量產(chan)。

啟方半導體的一家韓國客戶率先將這項新工藝應用到交通收費應答器的MCU產品上。啟(qi)方半導體(ti)自行設計(ji)的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產品級別測試的產品，今年啟動全面量產。這是第一款采用啟方半導體嵌入式閃存工藝的汽車應用產品。據該公司預計，該產品的成功開發將有助于把這項技術的應用范圍擴展到觸(chu)控IC、無線(xian)充電(dian)IC和其他(ta)各種汽車產品。

與第一代工藝相比，第二代技術在可靠性和成本競爭力上均有明顯提升，預計將廣泛應用于包括MCU、觸(chu)控和自動對焦在內的各種消費類應用。此外，在與BCD工藝（雙極型-互補金屬氧化物半導體-雙擴散金屬氧化物半導體工藝）相集成后，為各類電源產品帶來了合適的解決方案，例如USB Type-C PD（USB C型電源通(tong)信協(xie)議）、電機驅動IC或無線充電IC等。第二代技術的應用場景有望進一步擴大到具有超低漏電(dian)工藝選項的(de)低(di)功耗物聯(lian)網產品。

繼0.13微米的(de)(de)第(di)一(yi)代和第(di)二代技術(shu)之后，啟方半(ban)導體目前正在(zai)開(kai)發(fa)0.11微米嵌入式(shi)閃(shan)存(cun)工(gong)藝(yi)。為了滿(man)足客戶日益追求(qiu)更高(gao)存(cun)儲(chu)密度(du)的(de)(de)需(xu)求(qiu)，該公司(si)打算大幅縮小閃(shan)存(cun)單元的(de)(de)尺寸，打造出存(cun)儲(chu)密度(du)高(gao)達4Mbits的(de)(de)閃(shan)存(cun)IP。

啟方半導體首席執行官李泰鐘博士(Tae Jong Lee)表示：“首款使用第二代0.13微米嵌入式閃存技術的產品已經開發完成，即將投入量產。我們將充分利用我們積累的(de)技術優(you)勢(shi)來提供高(gao)度可靠且具有成本競(jing)爭力的(de)代(dai)工服務，并繼續提高(gao)汽車半導體在我們產品組合中(zhong)的(de)比例。”