韓國首爾(er)2021年(nian)6月9日 /美(mei)通(tong)社/ -- 今日，三星(xing)宣布(bu)開(kai)發新一代(dai)“8納米射(she)頻（RF）工(gong)藝(yi)技術”，強化5G通(tong)信(xin)芯片的解決方案。

這種先進的制造技術支持5G通信的多通道和多天線芯片設計，期待為5G通信提供“單芯片的解決方案（One Chip Solution）”。三星的8nm RF平臺擴展計劃(hua)，有望增強(qiang)從(cong)Sub-6GHz到毫(hao)米波（mmWave）應用的5G半(ban)導(dao)體(ti)代工市場地(di)位。

三星8nm RF是從已有28nm，14nm RF代(dai)工解決方案(an)拓展(zhan)的(de)新(xin)一代(dai)工藝技(ji)術。自2017年至今，三星以高端智(zhi)能手機為主，已生產了超過5億(yi)顆的(de)RF 芯(xin)片，在(zai)RF芯(xin)片代(dai)工市場(chang)擁有了一席(xi)之(zhi)地。

“通過技術創新和制造工藝的精益求精，我們推出了下一代無線通信的代工技術方案，”三星電子代工技術開發團隊負責人Hyung Jin Lee表示，“隨著5G毫米波的(de)應用(yong)擴大，三(san)星的(de)8nm RF技術為(wei)客(ke)戶(hu)(hu)提供更(geng)好的(de)解決方案，滿(man)足客(ke)戶(hu)(hu)不斷提升的(de)用(yong)戶(hu)(hu)體(ti)驗(yan)，在小的(de)芯片上(shang)提供更(geng)長的(de)電池使用(yong)時間，高質量的(de)通信信號(hao)。”

三星新一代(dai)RFeFET? 器件結構

RF芯(xin)片把接受的(de)(de)射(she)頻信號轉換(huan)(huan)數(shu)(shu)字信號用于數(shu)(shu)字處(chu)理，把處(chu)理后的(de)(de)數(shu)(shu)字信號轉換(huan)(huan)為射(she)頻信號用于發(fa)射(she)。RF工(gong)藝技(ji)術中，模擬/RF器件性能(neng)和數(shu)(shu)字器件性能(neng)都非常重要。

隨著(zhu)半導(dao)體工藝節點的縮(suo)微，數字電路在性(xing)能,功耗(hao)和(he)面(mian)積(ji)上(shang)都有顯著(zhu)改(gai)善，然而模(mo)擬/RF 模(mo)塊由(you)于寄生(sheng)特性(xing)難以縮(suo)微。由(you)于線寬(kuan)較窄，導(dao)致電阻(zu)增加(jia)，RF信號放大性(xing)能減弱，功耗(hao)增加(jia)，RF芯片整體性(xing)能下(xia)降。

為了克服模擬(ni)/RF電(dian)路在(zai)(zai)工藝(yi)縮微時(shi)的(de)(de)(de)技術(shu)挑戰，三星(xing)開發了一種名為“RFeFET?（RF extremeFET）”的(de)(de)(de)獨特RF器件(jian)(jian)結構(gou)，新的(de)(de)(de)結構(gou)只(zhi)在(zai)(zai)8nm RF平(ping)臺(tai)上提(ti)供(gong)，新的(de)(de)(de)RF器件(jian)(jian)使用(yong)小的(de)(de)(de)功率就(jiu)能(neng)(neng)提(ti)升RF性(xing)(xing)能(neng)(neng)。與(yu)此前的(de)(de)(de)14nm工藝(yi)相比(bi)，三星(xing)“RFeFET?（RF extremeFET）”可以幫忙數字電(dian)路的(de)(de)(de)縮微，同時(shi)提(ti)升模擬(ni)/RF性(xing)(xing)能(neng)(neng)，提(ti)供(gong)高(gao)性(xing)(xing)能(neng)(neng)的(de)(de)(de)5G技術(shu)平(ping)臺(tai)。

工藝優化(hua)包(bao)括(kuo)增加電(dian)(dian)子遷移率，降低寄生(sheng)參數(shu)。由于RFeFET?的(de)性能的(de)提(ti)升，射頻芯(xin)片中晶體管(guan)的(de)總數(shu)可以減少(shao)，模擬(ni)電(dian)(dian)路的(de)面積可以減少(shao)。

由于三星(xing)(xing)“RFeFET?（RF extremeFET）”的(de)創新，與此前的(de)14nm工藝(yi)相比，三星(xing)(xing)的(de)8nm RF工藝(yi)可減少約(yue)(yue)35%的(de)射(she)頻芯片(pian)面積(ji)，且能效也有(you)約(yue)(yue)35%的(de)提升。