-  三星電子新款DRAM將于2023年開始量產，以優異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展

中(zhong)國深圳2022年12月21日 /美通(tong)社/ -- 三星電子宣布，已(yi)成功(gong)開發出其(qi)首款采用12納米（nm）級工藝(yi)技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與(yu)AMD一起完成了兼(jian)容性方面的產品(pin)評估(gu)。

三星電子高(gao)級副(fu)總裁兼DRAM產品與(yu)技術負責(ze)人(ren)Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將(jiang)成(cheng)為推動整個市場(chang)廣(guang)泛采用DDR5 DRAM的關鍵因素(su)。憑借卓越的性(xing)能和能效，我們希望新款DRAM能夠成(cheng)為下一代(dai)計(ji)算、數據中心和AI驅動系統等領域(yu)更可持續運營的基礎。"

AMD高級副總(zong)裁、企業(ye)院士兼客戶、計(ji)算、圖形首席技術官Joe Macri表(biao)示(shi)："創新往往少(shao)不了與行業(ye)伙伴的(de)(de)密切(qie)合(he)作(zuo)，來拓(tuo)寬技術的(de)(de)邊(bian)界(jie)。我們很高興能與三(san)星電子再度(du)合(he)作(zuo)，特別是推出在Zen平臺上優化和驗證的(de)(de)DDR5內(nei)存(cun)產品。"

這一(yi)技(ji)術(shu)突(tu)破是通過(guo)使用一(yi)種新(xin)的高(gao)(gao)介電(dian)（high-k）材料來增加電(dian)池電(dian)容，以及(ji)改進關鍵電(dian)路特性的專利(li)設(she)計(ji)技(ji)術(shu)而(er)實現的。結合先進的多層(ceng)極紫外（EUV）光(guang)刻技(ji)術(shu)，新(xin)款DRAM擁有三星(xing)最高(gao)(gao)的DDR5 Die密度(du)（Die density），可使晶(jing)圓生產率提高(gao)(gao)20%。

基于DDR5最新標準，三星(xing)12nm級DRAM將解鎖高達7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內(nei)處理(li)兩部30GB的超高清（UHD）電影。

新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效。與上一(yi)代三星(xing)DRAM產品相比，12nm級DRAM的功耗降低約(yue)23%，對于(yu)更多追求環保經營的全(quan)球(qiu)IT企業來說(shuo)，這將(jiang)會是值得(de)考慮的優選解決方案。

隨著(zhu)2023年新(xin)款(kuan)DRAM量產(chan)，三星計劃將(jiang)這一基于先(xian)進(jin)12nm級工(gong)藝技術的(de)(de)DRAM產(chan)品(pin)擴(kuo)展(zhan)到(dao)更(geng)廣泛的(de)(de)市場(chang)領域，同(tong)時(shi)繼續與(yu)行(xing)業伙伴合作，推(tui)動(dong)下一代計算的(de)(de)快速發展(zhan)。