深圳2022年12月26日 /美通社/ -- 為更好地滿足超大規模的數據應用，憶聯發布數據中心級NVMe SSD -- UH711a以及UH711a E3.S形態。該系(xi)列產品(pin)使(shi)用(yong)(yong)(yong)自研控制器與長江存儲(chu)128L 3D NAND，專為數(shu)據中(zhong)心級業務場景而設(she)計。UH711a單(dan)盤容(rong)量最高(gao)達7.68TB，能為數(shu)據庫、塊(kuai)存儲(chu)、虛擬化、云主機等應用(yong)(yong)(yong)提供高(gao)性能的存儲(chu)方案(an)，幫助用(yong)(yong)(yong)戶(hu)獲得更優的TCO。

1、性能全面調優，業務應用顯著提速

UH711a支持高速PCIE Gen4接口，針對數據中心級業務場景及負載Workload IO模型，在各類場景可提供全面的性能優化能力，產品順序讀寫性能高達7200/4500 MB/s，隨機讀寫性能高達1700/230K IOPS。

同時(shi)，針對互聯網典型(xing)(xing)應用場(chang)景，采用軟化架構設計，并優化IO路徑DB、FSP、HAS和LDPC等硬件(jian)資源配置，提升后端(duan)NAND顆粒并發效率，保障互聯網典型(xing)(xing)應用場(chang)景盤(pan)片性能。

2、SR-IOV with QoS 升級2.0，助力虛擬化業務降本增效

UH711a 通過使能SR-IOV技術優化云業務虛擬機場景，相比SPDK方案優勢顯著。SR-IOV2.0進一步優化了Nand物理層隔離度，VF間的性能隔離度更好，隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場景下分別優化到了3%和5%，目前憶聯SR-IOV 性能及隔離度已達業界領先水平。

3、智能多流2.0，保障業務長期且穩定運行

采用全新K-mean智能聚類算法，提供更精細的數據類型識別顆粒度，進一步提高GC時的效率，使SSD系統性能最大可提升20%。通過在盤片內部將2種數據寫入不同的流，降低盤片的寫放大系數，提升全生命周期的穩態性能以及保障產品生命周期后期階段的可靠性。

此外，UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規范，不(bu)僅與(yu)系統(tong)配(pei)合實(shi)現端到端的(de)保護，也能(neng)在(zai)盤(pan)(pan)內實(shi)現獨立的(de)端到端的(de)保護機制，確保盤(pan)(pan)內整(zheng)個(ge)通路的(de)數(shu)據(ju)安全，從而為數(shu)據(ju)中(zhong)心在(zai)多(duo)種極端場景(jing)下的(de)正常運維提供雙重保護。

4、自封顆粒，釋放介質原生潛力

依托憶聯強大的(de)自主封測(ce)技術，UH711a通(tong)過使能(neng)(neng)自封TLC介(jie)質(zhi)，在不犧牲(sheng)性能(neng)(neng)及可(ke)靠(kao)性的(de)前提下(xia)大幅度降低介(jie)質(zhi)應用(yong)成本，充分(fen)挖(wa)掘介(jie)質(zhi)的(de)原生潛力，提供(gong)更好的(de)IO性能(neng)(neng)。

5、憶聯新一代EDSFF E3.S SSD揭曉

E3.S作為面向云服務、企業數據中心的NVMe SSD新形態標準，憑借擴展性更強，以及優化了整體效能等優勢，已成為數據中心SSD未來發展方向。憶聯推出的UH711a E3.S 形態，外形尺寸方面，長112.75mm、寬76mm、厚度為7.5mm，單盤容量最高達15.36TB，支持NVMe 1.4。使用新形態后，產品順序讀寫性能高達7200/4400 MB/s，隨機讀寫性能高達1700/240K IOPS。該(gai)系(xi)列產品將(jiang)于(yu)2023年(nian)實現量產。