北京2016年5月5日電 /美通社/ -- 基于數十年的電源管理創新經驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mU場效應(ying)晶體管(FET)功率級工程(cheng)樣片，從而(er)使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾(zhong)提供集(ji)成有(you)高(gao)壓驅(qu)動器的GaN解決方(fang)(fang)案(an)的半(ban)導(dao)體廠商。與(yu)(yu)基于硅材(cai)料FET的解決方(fang)(fang)案(an)相比，這款(kuan)全新的12A LMG3410功率級與(yu)(yu)TI的模擬與(yu)(yu)數(shu)字電力轉換控(kong)制器組合在一起，能使設計人員創造出尺寸更小、效率更高(gao)并且性能更佳的設計。而(er)這些(xie)優勢在隔離式高(gao)壓工業、電信(xin)、企業計算和可再生能源應(ying)用中(zhong)都特別重(zhong)要。如需(xu)了解更多信(xin)息，敬(jing)請(qing)訪問

“通過(guo)3百萬小時以上(shang)的(de)可(ke)(ke)靠測試，LMG3410使電(dian)(dian)源(yuan)設(she)計人員對GaN的(de)無限潛能充滿信心，并且這也他(ta)們用之(zhi)前認為(wei)根本不可(ke)(ke)行的(de)方法重新思考電(dian)(dian)源(yuan)架構和(he)系統，”TI高壓電(dian)(dian)源(yuan)解決方案副(fu)總裁(cai)Steve Lambouses說，“隨(sui)著(zhu)TI在生產制造(zao)能力和(he)大量(liang)系統設(she)計專業知識方面的(de)聲譽不斷擴大，全新的(de)功率級成為(wei)TI邁(mai)向GaN市場的(de)重要(yao)一步。”

借助集(ji)成(cheng)驅動器(qi)和零反向恢復電(dian)流等特(te)(te)性，LMG3410提供可(ke)靠的性能(neng)，特(te)(te)別是在(zai)(zai)硬(ying)開關應(ying)用(yong)中更(geng)是如此；在(zai)(zai)這(zhe)些應(ying)用(yong)中，它能(neng)夠(gou)極(ji)大地(di)降低開關損耗，最多(duo)能(neng)降低80%。與獨立GaN FET不(bu)同，易(yi)于使用(yong)的LMG3410集(ji)成(cheng)了針對溫(wen)度、電(dian)流和欠(qian)壓閉鎖(UVLO)故(gu)障保護的內(nei)置智(zhi)能(neng)化等功(gong)能(neng)。

經驗證的制造和封裝專業技術

LMG3410是第(di)一(yi)款包含了由TI生產的(de)(de)(de)GaN FET的(de)(de)(de)半導體集成(cheng)電路(IC)。基于(yu)(yu)在制造和(he)工藝領域多年(nian)形成(cheng)的(de)(de)(de)專業(ye)技術(shu)，TI在其硅技術(shu)兼(jian)容的(de)(de)(de)工廠內創造出了GaN器(qi)件，并且通過(guo)不斷的(de)(de)(de)實踐，使這些器(qi)件的(de)(de)(de)質量超過(guo)了電子(zi)元(yuan)件工業(ye)聯合會(JEDEC)標(biao)準的(de)(de)(de)要求(qiu)，以(yi)確保(bao)GaN在嚴(yan)酷的(de)(de)(de)使用(yong)環(huan)境下的(de)(de)(de)可(ke)靠性和(he)穩(wen)健耐(nai)用(yong)性。易于(yu)(yu)使用(yong)的(de)(de)(de)封裝將有助于(yu)(yu)增加功率因數控制器(qi)(PFC) AC/DC轉換器(qi)、高(gao)壓(ya)DC總(zong)線轉換器(qi)和(he)光伏(PV)逆變(bian)器(qi)等應用(yong)中GaN電源設計的(de)(de)(de)部署和(he)采用(yong)率。

LMG3410的主要特點和優勢

• 使功率密度加倍。與基于硅材料的先進升壓功率因數轉換器相比，600V功率級在圖騰柱PFC中的功率損耗還要低50%。減少的物料清單(BOM)數量和更高的效率最多可以將電源的尺寸減少50%。
• 減少封裝寄生電感。與分立式GaN解決方案相比，全新器件的8mmx8mm四方扁平無引線(QFN)封裝減少了功率損耗、組件電壓應力和電磁干擾(EMI)。
• 可實現全新拓撲。GaN的零反向恢復電荷有益于全新開關拓撲，其中包括圖騰柱PFC和LLC拓撲，以增加功率密度和效率。

拓展GaN生態系統

為了能夠讓設計(ji)人員(yuan)在他們的(de)(de)電(dian)(dian)源設計(ji)中(zhong)利用(yong)GaN技術所具有的(de)(de)優勢，TI還推出(chu)了全新(xin)的(de)(de)產品，以擴(kuo)展其GaN生(sheng)態(tai)系統。LMG5200POLEVM-10，一個(ge)48V至1V負載點(dian)(POL)評估模塊，將包括與(yu)80V GaN FET功率級配對使用(yong)的(de)(de)全新(xin) GaN FET控制器(qi)。這個(ge)解決方案可(ke)以在工業(ye)、電(dian)(dian)信(xin)和數據通信(xin)應用(yong)中(zhong)實(shi)現高達92%的(de)(de)效率。

供貨

TI將提(ti)供包含一(yi)個半橋(qiao)子板(ban)和4個LMG3410 IC樣(yang)片的開(kai)發套件。第二個套件包含一(yi)個系統級評估母板(ban)。一(yi)起使用時，這兩(liang)個套件可實(shi)現直接工作臺測(ce)試和設計(ji)。現在(zai)，這兩(liang)個開(kai)發套件在(zai)有售。

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