北(bei)京(jing)2017年6月28日電 /美通(tong)社/ -- 德州儀(yi)器（TI）近日推出(chu)一項(xiang)創新的三相氮(dan)化鎵（GaN）逆變器參考設計，可幫(bang)助工程師構建200 V，2 kW交流伺服電機驅動器(qi)和下一(yi)代工業機器(qi)人，具有(you)快速的(de)電流回路控制(zhi)，更(geng)(geng)高的(de)效率，更(geng)(geng)精確(que)的(de)速度(du)和轉(zhuan)矩控制(zhi)。現在下載參考設計(ji)。
三相逆(ni)變器(qi)GaN功(gong)率(lv)級(ji)
三相高頻GaN逆變器參考設計采用TI去年最新推出的LMG3410 600-V，12-A GaN功率模塊，具有集成FET、柵極(ji)驅動(dong)器和保護功能。 GaN模(mo)塊可(ke)使設計(ji)(ji)開關(guan)比硅(gui)FET快5倍，可(ke)在(zai)(zai)100 kHz時實現高(gao)(gao)于98%的效率(lv)(lv)水(shui)平，在(zai)(zai)24 kHz脈寬調制(zhi)（PWM）頻(pin)率(lv)(lv)下，可(ke)實現高(gao)(gao)于99％的效率(lv)(lv)水(shui)平。使用GaN，設計(ji)(ji)人員(yuan)可(ke)以(yi)優化開關(guan)性能，減少電機(ji)(ji)的功率(lv)(lv)損耗(hao)，并可(ke)降低散(san)熱(re)片的尺寸以(yi)節(jie)省電路(lu)板(ban)空間。與(yu)低電感電機(ji)(ji)配合使用時，以(yi)100kHz運行逆變器，可(ke)大(da)幅改善轉矩脈動(dong)。
功率(lv)、速度和(he)性(xing)能GaN逆(ni)變器功率級可與微控制器（MCU）輕松對接，包括TI的TMS320F28379D驅動(dong)控制片上系統(tong)，以幫助動(dong)態(tai)調整電壓頻率并實現超(chao)快速電流(liu)環路控制。TI近日(ri)還推出(chu)了新(xin)型DesignDRIVE快速(su)電(dian)流(liu)環路軟件(jian)，具有(you)創新的子周期PWM更新技術，可幫助將伺(si)服驅動器(qi)中的電流環路性能(neng)提高到小于(yu)1微秒，可(ke)達到電(dian)機轉矩響應的(de)三倍(bei)。該快速電(dian)流環(huan)路軟(ruan)件優于傳(chuan)統的(de)基于MCU的電(dian)流環路解決方案(an)，并(bing)且可(ke)以免費使用controlSUITE?軟(ruan)件。
除了GaN模塊，該參考設(she)計依賴于(yu)TI的AMC1306隔(ge)離delta-sigma調制(zhi)器，具(ju)有電流檢測功(gong)能，可提高電機控制(zhi)性能。TI的ISO7831數字(zi)隔離器(qi)還為MCU和該設計的六(liu)個(ge)PWM之間提(ti)供增強(qiang)隔(ge)離。
TI新(xin)型三相逆(ni)變(bian)器設計(ji)的主要(yao)優點
其他(ta)設(she)計資源
