韓(han)國首爾2021年(nian)11月12日 /美通(tong)社/ -- SK海力士于11月12日表示(shi)，針對車(che)(che)用存儲半導體公(gong)司成(cheng)功獲取了功能(neng)安(an)全國際標準(zhun)ISO 26262:2018 FSM（功能(neng)安(an)全管理(li)，Functional Safety Management）標準(zhun)認(ren)證(zheng)(zheng)(zheng)。負責此次(ci)認(ren)證(zheng)(zheng)(zheng)的(de)機構是(shi)德國的(de)全球權威汽車(che)(che)功能(neng)安(an)全認(ren)證(zheng)(zheng)(zheng)機構TUV Nord，隨后雙方舉(ju)行了線上認(ren)證(zheng)(zheng)(zheng)授(shou)予儀(yi)式。出席(xi)授(shou)予儀(yi)式的(de)有(you)沈大用SK海力士汽車(che)(che)業(ye)務擔(dan)當副(fu)社長(chang)(chang)、宋埈豪SK海力士品質系統擔(dan)當副(fu)社長(chang)(chang)、TUV Nord認(ren)證(zheng)(zheng)(zheng)機構長(chang)(chang)Bianca Pfuff和首席(xi)審查官(guan)Josef Neumann。

ISO 26262認(ren)證是國際(ji)標(biao)準(zhun)化組(zu)織（ISO）于2011年制定的(de)關(guan)于汽(qi)車(che)功能安全(quan)系(xi)統的(de)國際(ji)標(biao)準(zhun)，旨在(zai)預(yu)防因(yin)汽(qi)車(che)電氣和(he)電子系(xi)統故障(zhang)引發的(de)事故。此次授予SK海力士的(de)這(zhe)項(xiang)認(ren)證是依據(ju)ISO 26262:2018最新(xin)版本的(de)標(biao)準(zhun)，其中新(xin)增了對汽(qi)車(che)半導體的(de)附加要求。在(zai)汽(qi)車(che)行業，安全(quan)、質(zhi)量和(he)可(ke)靠性至(zhi)關(guan)重要。因(yin)此，汽(qi)車(che)零部件生產商必須滿足(zu)ISO 26262標(biao)準(zhun)。

SK海(hai)力士說明，獲取這項認證為SK海(hai)力士引(yin)領車用存儲半導體市場的發展奠定了(le)堅實的基礎(chu)，并(bing)強化了(le)公(gong)(gong)司(si)的產(chan)品(pin)競爭力。公(gong)(gong)司(si)達到了(le)業(ye)(ye)內汽車安全完整性等級(ji)(ji)（ASIL）最高評級(ji)(ji)，即ASIL-D認證，這是四個(ge)認證等級(ji)(ji)（A~D）中最高的等級(ji)(ji)，進一(yi)步證實了(le)SK海(hai)力士的產(chan)品(pin)安全水平達到了(le)業(ye)(ye)內最高水準(zhun)。

本次通過FSM認證的(de)SK海力(li)士(shi)產品(pin)(pin)是8Gb LPDDR5 DRAM。LPDDR5是一款高容量(liang)、高性能、低(di)功耗的(de)內(nei)存組件(jian)，對(dui)于高級駕(jia)(jia)駛輔助系(xi)統（ADAS）和自動駕(jia)(jia)駛汽車(che)技(ji)術至關重(zhong)要。SK海力(li)士(shi)將繼續(xu)鞏固(gu)自身在汽車(che)半導體市場的(de)地位，為車(che)用半導體產品(pin)(pin)群陸續(xu)追加通用閃存存儲（UFS）和HBM2E、HBM3等(deng)高帶(dai)寬內(nei)存等(deng)。

SK海力士汽車業務擔當副社(she)長沈(shen)大用表示：“這項認(ren)證證明了SK海力士的(de)汽車半導(dao)體產品擁有世界(jie)領(ling)先的(de)功能安全(quan)技(ji)術，得(de)益(yi)于此，我們計劃擴大與汽車行業客戶的(de)戰略(lve)合作伙伴關(guan)系。”SK海力士品質(zhi)系統擔當副社(she)長宋埈豪(hao)補充道(dao)：“為確(que)保不斷發展的(de)汽車內存市場(chang)主導(dao)權，SK海力士將繼續提升我們產品的(de)安全(quan)性(xing)、質(zhi)量和可靠性(xing)。”

根據(ju)市調機(ji)構(gou)Strategy Analytics的數(shu)據(ju)，到2028年，整個ADAS內存市場規模預計將增長近三倍，年均(jun)增長率（CAGR）將達到24.5%（以銷售額為準）。