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SK海力士將在CES2023以高效率、高性能存儲器吸引全球科技公司

2022-12-27 07:30 7091
  • 以"綠色數字解決方案"為主題,介紹主力/新內存陣容
  • 展示超高性能企業SSD,強化服務器用存儲器市場領先企業地位
  • "提出解決客戶痛點的方案"

首爾(er)2022年12月(yue)27日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司',www.skhynix.com)于27日表示,公司將參與明年1月5日至(zhi)8日在美國(guo)拉斯維加斯舉行(xing)的(de)世界最(zui)大的(de)電子、IT展(zhan)示會 -- "CES 2023",展(zhan)示主力(li)存儲器產品和(he)新的(de)產品陣容。


SK海(hai)力士(shi)強(qiang)調(diao):"在(zai)(zai)此次CES上,公司(si)同步SK集團的‘無碳未來'方(fang)向,決定將大幅減少(shao)碳排放(fang)的產(chan)品,以(yi)‘綠(lv)色(se)數(shu)字解(jie)決方(fang)案'為主題進行展示。公司(si)將公開的產(chan)品陣(zhen)容不僅能減少(shao)環境影響,在(zai)(zai)性能和效率方(fang)面也比上一代大幅改善,期待能吸(xi)引全球科技客戶和專(zhuan)家的眾多關(guan)注。"

最(zui)近,隨著AI、大(da)數(shu)據(ju)、無人駕駛、元宇宙等尖端(duan)科技產(chan)業成長速度的(de)(de)(de)(de)加快(kuai),全球(qiu)技術企業正在關注快(kuai)速處理急劇增加的(de)(de)(de)(de)數(shu)據(ju)又能(neng)夠(gou)提高耗能(neng)效率(lv)的(de)(de)(de)(de)存儲器(qi)半導體。 SK海(hai)力(li)士認為,將在CES上展示的(de)(de)(de)(de)產(chan)品具備了滿足(zu)客戶所需(xu)求的(de)(de)(de)(de)高效能(neng)功耗比*和(he)性能(neng)。

* 效能(neng)功耗比:每(mei)一定單位(wei)功率(lv)每(mei)秒可處理的(de)數據容量指(zhi)標

此次公司展示(shi)的(de)(de)核(he)心產(chan)品(pin)是超高性能(neng)企業級(ji)SSD產(chan)品(pin) PS1010 E3.S(以(yi)下簡稱PS1010)。PS1010是由多個SK海力士(shi)的(de)(de)176層4D NAND結(jie)合而成的(de)(de)模組(zu)產(chan)品(pin),支(zhi)持(chi)PCIe第(di)五代(Gen 5)*標準。

* PCIe(Peripheral Component Interconnect Express):電子(zi)產品主板上串(chuan)行結構的(de)高(gao)速輸(shu)(shu)入/輸(shu)(shu)出接口(kou)。其(qi)特(te)點是隨著每一代的(de)上升,數(shu)據傳輸(shu)(shu)率提高(gao)約(yue)一倍。

SK海力士技(ji)術(shu)(shu)團隊解釋說:"服(fu)務器用存儲器市(shi)場在(zai)低迷的(de)情(qing)(qing)況下也(ye)在(zai)持續增(zeng)長,在(zai)這種情(qing)(qing)況下,公司展示(shi)了匯(hui)聚最(zui)(zui)高(gao)(gao)競爭力技(ji)術(shu)(shu)的(de)新產(chan)品。" 實際上,PS1010與上一代(dai)相比,讀(du)寫速度分別最(zui)(zui)高(gao)(gao)提升了130%和49%。另外,該(gai)產(chan)品具備改(gai)善75%以上的(de)功耗比,有望降低客戶的(de)服(fu)務器運營(ying)費(fei)用和碳排放量。

尹載然SK海(hai)力士副社長(NAND商品企劃負責人)表示:"在世界最大規模的展會中推出能夠解決服(fu)務器客戶痛點(dian)的SSD產品,感到非常自豪。期待(dai)以搭載自主(zhu)開發的控制器與固件的產品為基礎(chu),公司(si)的NAND事業競爭力進(jin)一步加強。"

與此(ci)同時,展(zhan)會上(shang)(shang)SK海力(li)士將展(zhan)示適用于(yu)高性(xing)(xing)能(neng)計算(suan)(HPC,High Performance Computing)的(de)(de)新一代存(cun)(cun)儲器(qi)產品,現有最高性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)DRAM"HBM3*"、采用存(cun)(cun)儲器(qi)上(shang)(shang)添加(jia)運(yun)算(suan)功能(neng)的(de)(de)PIM*技術的(de)(de)"GDDR6-AiM"、靈活(huo)擴張(zhang)存(cun)(cun)儲器(qi)容(rong)量和(he)性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)"CXL*存(cun)(cun)儲器(qi)"等。

* HBM(High Bandwidth Memory):垂直連(lian)接多個(ge)DRAM,比現有DRAM顯(xian)著提(ti)升數據(ju)處理速度(du)的(de)高(gao)附加值、高(gao)性(xing)能的(de)產品

* PIM(Processing-In-Memory):在存儲(chu)器半導體上添加運算功(gong)能(neng),可以(yi)解決(jue)人工智能(neng)(AI)和大數據處(chu)理領(ling)域的(de)數據傳輸停(ting)滯問題的(de)新一代技術

* CXL(Compute Express Link):為有效構建高性能計算系(xi)統,基(ji)于PCIe的新一代互聯(lian)協議(yi)(Interconnect Protocol)

另外,SK海力士的CES展(zhan)(zhan)位還(huan)將(jiang)同時展(zhan)(zhan)示SK集團旗下(xia)能源效率(lv)化子公司SK enmove的液浸冷卻(Immersion Cooling)*技(ji)術。此技(ji)術可以降低半導體服(fu)務器啟動溫(wen)度,SK海力士計(ji)劃今后擴(kuo)大與集團成員公司以及外部合作(zuo)伙伴的合作(zuo),致力于在整個半導體事業中創造新的附加價(jia)值。

* 液浸冷(leng)卻(que)(que)(Immersion Cooling): 將數據(ju)服(fu)務器(qi)直接浸入冷(leng)卻(que)(que)油中冷(leng)卻(que)(que)的新(xin)一代熱管理技術,與(yu)現有的空冷(leng)式相比,冷(leng)卻(que)(que)電(dian)力大幅減(jian)(jian)少,整體電(dian)力消耗量可減(jian)(jian)少約30%

關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國,是一家全球領先的半導體供應商,為全球客戶提供DRAM(動態隨機存取存儲器),NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市,其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多,請點擊公司網站www.skhynix.com, 。

消息來源:SK海力士
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