日(ri)本橫濱2021年11月(yue)17日(ri) /美通(tong)社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited已(yi)(yi)推出(chu)帶并行接(jie)口的(de)8Mbit FRAM MB85R8M2TA存儲(chu)器，這也(ye)是Fujitsu首款支持100萬億次讀/寫周期的(de)FRAM系(xi)列產品。評估(gu)樣本目前已(yi)(yi)發布。

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圖1—MB85R8M2TA封(feng)裝：

FRAM是一款非易(yi)失性存儲產品(pin)，具(ju)有高(gao)讀寫(xie)耐久性、高(gao)速寫(xie)入、低功耗(hao)等優點，已批量生產20多(duo)年(nian)。

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MB85R8M2TA存儲(chu)器(qi)配有與(yu)SRAM兼容的(de)并(bing)行接口，可(ke)在(zai)(zai)1.8V-3.6V的(de)電源(yuan)電壓范圍內工(gong)作(zuo)。新(xin)款(kuan)FRAM在(zai)(zai)快(kuai)頁(ye)模(mo)式下可(ke)實現(xian)25ns的(de)訪問(wen)時間，因此(ci)在(zai)(zai)持(chi)續數(shu)據(ju)傳輸時的(de)訪問(wen)速度(du)可(ke)與(yu)SRAM相(xiang)媲美(mei)。與(yu)Fujitsu的(de)傳統產(chan)(chan)品相(xiang)比，該存儲(chu)器(qi)實現(xian)了高速運(yun)行（訪問(wen)速度(du)提(ti)高約30%）和低功耗（工(gong)作(zuo)電流減少10%）。這款(kuan)存儲(chu)器(qi)IC是(shi)SRAM的(de)理想(xiang)替代產(chan)(chan)品，可(ke)用于需要高速運(yun)行的(de)工(gong)業機器(qi)。

圖2—FRAM用例：

圖3—電流比較：

從上述特(te)點來(lai)看，新(xin)款8Mbit FRAM可在(zai)某些(xie)情況下省去SRAM所必(bi)需的數據備(bei)份(fen)電池，為客(ke)戶帶來(lai)好處(chu)。

圖(tu)4—用非易失性存儲器替換SRAM時會遇到的問題及解決方案：

Fujitsu Semiconductor Memory Solution致力于開發高性能產(chan)品，為可持(chi)續發展(zhan)的(de)社(she)會做出(chu)貢獻。例如，該公司在(zai)不斷開發低功耗FRAM產(chan)品。通過降低產(chan)品功耗，該公司旨在(zai)減少二氧化碳和溫室氣體(ti)排放。

Fujitsu將繼續(xu)滿足市(shi)場(chang)和客(ke)戶(hu)的需求(qiu)和要求(qiu)，同(tong)時(shi)開發環保(bao)型存(cun)儲產品。