日(ri)本(ben)橫濱(bin)2022年3月(yue)16日(ri) /美通(tong)社/ -- Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月(yue)15日(ri)宣布推出12Mbit電阻式(shi)隨機存取存儲器(ReRAM)——MB85AS12MT。目前可提供(gong)評估樣品(pin)。

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這款新產品是(shi)一個非(fei)(fei)易失性(xing)存儲(chu)器(qi)，具有(you)12Mbit的大存儲(chu)密度，封裝尺寸非(fei)(fei)常小，約為2mm x 3mm。讀(du)(du)取電流也(ye)極(ji)低，讀(du)(du)取操作期間(jian)平均為0.15mA。因此，將(jiang)MB85AS12MT安裝在(zai)頻繁進行數據讀(du)(du)取操作的電池供電設(she)備中，可以最大限度地減少(shao)電池消(xiao)耗。

該產品具有封(feng)裝(zhuang)尺寸(cun)小和(he)讀取電流小的特點(dian)，非常(chang)適合用(yong)于助聽器和(he)智能(neng)手表等(deng)可穿戴設備。

圖1：MB85AS12MT封裝（頂部和底部）

圖2：ReRAM使用實例(li)

MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內工作。新的ReRAM產(chan)品(pin)的存儲密度(du)是現(xian)有8Mbit ReRAM的1.5倍，但二者封裝(zhuang)(zhuang)尺(chi)寸都是WL-CSP（晶(jing)圓級(ji)芯片尺(chi)寸封裝(zhuang)(zhuang)）且引(yin)腳(jiao)分(fen)配也一樣。新產(chan)品(pin)可在小(xiao)封裝(zhuang)(zhuang)尺(chi)寸中存儲大約90頁報紙的字符數據(ju)。

MB85AS12MT使用的WL-CSP與經常用于具(ju)有串(chuan)行外設接口(SPI)的存儲器件的8針SOP相比，可以(yi)節省約80%的安裝(zhuang)面積(ji)。

圖3：安裝面積比較

憑借上(shang)述功能，這(zhe)款(kuan)ReRAM產品可(ke)以(yi)解決(jue)開發(fa)可(ke)穿戴設備時(shi)使用閃存(cun)或EEPROM所產生(sheng)的以(yi)下問題。

圖4：客戶問題和解(jie)決方案：

Fujitsu Semiconductor Memory Solution將(jiang)繼(ji)續開發各種低(di)功(gong)耗(hao)存儲器(qi)產品(pin)，以滿(man)足客戶的要(yao)求。