韓國首(shou)爾2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'，www.skhynix.com)今日宣布成功開發出DDR5多(duo)路合(he)并(bing)陣列(lie)雙(shuang)列(lie)直插內存模(mo)組(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*樣(yang)品(pin)(pin)(pin)，這是(shi)目前業界最快的服(fu)務器DRAM產品(pin)(pin)(pin)。該(gai)產品(pin)(pin)(pin)的最低數(shu)據傳輸速率也高達(da)8Gbps，較之目前DDR5產品(pin)(pin)(pin)4.8Gbps提高了80%以上。
* DDR(Double Data Rate)是一種DRAM標準，主(zhu)(zhu)要應用于服務器(qi)和(he)客戶(hu)端(duan)，目(mu)前已經發展至第五代。MCR DIMM是一種模(mo)塊(kuai)產品，將(jiang)多個DRAM組合(he)在一塊(kuai)主(zhu)(zhu)板上，能夠同(tong)時(shi)運行兩個內(nei)存列。
*內存(cun)列(lie)(RANK) ：從DRAM模(mo)塊向CPU傳輸數(shu)據的基(ji)本單位。一個內存(cun)列(lie)通常(chang)可向CPU傳送(song)64字節(Byte)的數(shu)據。
該MCR DIMM產品采用了全新的方法來以提高DDR5的傳輸速度。雖然普遍認為DDR5的運行速度取決于單個DRAM芯片的速度，但SK海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個DRAM芯片的速度。
SK海力士技(ji)術(shu)團隊在設計產品時(shi)，以英(ying)特爾MCR技(ji)術(shu)為基礎，利用安(an)裝在MCR DIMM上的數據緩(huan)沖器(data buffer)*同時(shi)運行兩個內存列。
*緩沖器(qi)(Buffer) ：安(an)裝(zhuang)在內(nei)存(cun)模塊上的組(zu)件，用于優(you)化DRAM與CPU之間的信(xin)號傳輸性(xing)能。主要(yao)安(an)裝(zhuang)在對性(xing)能和可靠性(xing)要(yao)求較高(gao)的服(fu)務(wu)器(qi)模塊中
傳(chuan)統(tong)DRAM模(mo)塊每(mei)次(ci)只能向(xiang)CPU傳(chuan)輸(shu)64個(ge)字節的(de)數(shu)據(ju)，而在MCR DIMM模(mo)塊中，兩個(ge)內存列(lie)同(tong)時運行(xing)可向(xiang)CPU傳(chuan)輸(shu)128個(ge)字節的(de)數(shu)據(ju)。每(mei)次(ci)傳(chuan)輸(shu)到CPU的(de)數(shu)據(ju)量的(de)增加使得數(shu)據(ju)傳(chuan)輸(shu)速度提高到8Gbps以上，是單(dan)個(ge)DRAM的(de)兩倍。
該產品的(de)(de)成(cheng)功開(kai)發得(de)益于與英(ying)特爾、瑞薩電(dian)子的(de)(de)合(he)作(zuo)。三家公司在(zai)從開(kai)發到速度(du)和性能驗(yan)證(zheng)的(de)(de)各個階段(duan)都進行了緊密(mi)的(de)(de)合(he)作(zuo)。
SK海力(li)士(shi)DRAM產(chan)品策劃(hua)擔當副社長柳城洙認為這款產(chan)品的(de)(de)(de)成功開發取(qu)決于不同技(ji)術的(de)(de)(de)結(jie)合。柳城洙表示："SK海力(li)士(shi)的(de)(de)(de)DRAM模(mo)塊設(she)計能力(li)與英特(te)爾卓越的(de)(de)(de)Xeon處理器、瑞薩電子的(de)(de)(de)緩(huan)沖器技(ji)術融(rong)為一(yi)體。為確(que)保MCR DIMM的(de)(de)(de)穩定(ding)運(yun)行，模(mo)塊內(nei)外(wai)數據緩(huan)沖器和處理器能夠順暢(chang)交互至關重要。"
數據緩沖器(qi)負責從中間(jian)的模(mo)塊(kuai)傳(chuan)輸多個信號(hao)，服務器(qi)CPU則(ze)負責接受和處理來自(zi)緩沖器(qi)的信號(hao)。
柳副社長(chang)還表示："開發(fa)出業界速度最快的MCR DIMM充分彰顯了SK海力士DDR5技(ji)術的又一長(chang)足進步(bu)。我們將繼續尋求突破技(ji)術壁(bi)壘，鞏(gong)固在服務器(qi)DRAM市場(chang)的領導地位。"
英特爾內存和IO技術副總裁Dimitrios Ziakas博(bo)士(shi)表(biao)示，英特(te)爾(er)與SK海力士(shi)在(zai)內存創新、針對服(fu)務器的(de)高性能(neng)、可擴展的(de)DDR5領域處于領先地位，在(zai)同一梯隊的(de)還有其他一些主(zhu)要的(de)行業合作伙伴。
"此次(ci)采用的(de)(de)技術源于英(ying)(ying)特爾(er)(er)和關鍵業界合作伙(huo)伴多年的(de)(de)共同研究，極大提高了英(ying)(ying)特爾(er)(er)Xeon處理器可(ke)提供(gong)的(de)(de)帶寬。我們期待該(gai)技術能夠應(ying)用到未來的(de)(de)英(ying)(ying)特爾(er)(er)Xeon處理器上(shang)，支持(chi)業界的(de)(de)標準化和多世代開發。";
瑞薩電子副總裁兼Memory Interface部門長Sameer Kuppahalli表示，該數據緩沖器從構思到實現產品化歷經三年，"對于能夠攜手SK海力士和英特爾將該技術轉化為優秀的產品，我們深感自豪。"
SK海力士預計，在高性能計算對于內存帶寬提升需求的驅動下， MCR DIMM的市場將會逐步打開，公司計劃在未來量產該產品。
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