北京2015年5月21日電(dian) /美通(tong)社/ -- (ADI)日前推出了一款(kuan)專門用于9 KHz至13 GHz頻段的(de)(de)吸收式單刀雙(shuang)擲(SPDT)開(kai)關(guan)HMC1118LP3DE，它具有(you)(you)48dB的(de)(de)高隔離度，在(zai)8 GHz條件(jian)下(xia)運行時僅有(you)(you)0.6dB的(de)(de)低(di)插(cha)入(ru)損(sun)耗。HMC1118LP3DE是(shi)ADI公司的(de)(de)新型RF和微波控制產品(pin)組(zu)合中的(de)(de)第(di)一款(kuan)產品(pin)，展現了硅工藝技(ji)術的(de)(de)固有(you)(you)優(you)勢，與傳統的(de)(de)GaAs（砷化鎵）RF 開(kai)關(guan)相(xiang)比具有(you)(you)重大(da)明顯優(you)勢。 這些優(you)勢包括：建立(li)時間比GaAs快(kuai)100倍；提供強大(da)的(de)(de)ESD（靜電(dian)放(fang)電(dian)）保護(hu)（達(da)到2000V，而GaAs僅為250V）；能(neng)夠(gou)擴(kuo)展開(kai)關(guan)的(de)(de)低(di)頻端(duan)，比GaAs低(di)1000倍，同(tong)時保持高線性(xing)度。

HMC1118LP3DE還提供4W的(de)業界(jie)領先(xian)RF功率處理能(neng)力，在熱(re)切換工作模式下達到0.5W。它的(de)熱(re)切換功率處理能(neng)力超出了(le)具有相同RF帶寬的(de)競爭器件的(de)兩倍，這(zhe)使(shi)工程(cheng)師能(neng)夠在他們(men)的(de)應用和系統(tong)中(zhong)提高RF功率，而不(bu)會產(chan)生器件損壞的(de)風(feng)險。HMC1118LP3DE專(zhuan)為高隔離度進行(xing)了(le)優化，在較大13 GHz的(de)寬工作頻(pin)率范圍內提供極其平坦的(de)傳遞特性，同時保(bao)持較低9kHz的(de)高信(xin)號(hao)保(bao)真度。這(zhe)些特性組合在一(yi)起，使(shi)得該開(kai)關非常(chang)適合要求苛刻(ke)的(de)測試(shi)和測量、自動化測試(shi)設備、國防電子產(chan)品、無線通信(xin)應用，充當傳統(tong) GaAs開(kai)關的(de)更低成本替代產(chan)品。

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HMC1118LP3DE SPDT開關的主要特性

• 非反射式50歐姆設計
• 正控制：0/+3.3 V
• 低插入損耗：0.68dB（8GHz時）
• 高隔離度：50dB（8GHz時）
• 9KHz的低截止頻率
• 7.5微秒的快速建立時間（對于0.05 dB的最終RF輸出電平）
• 業界領先的高功率處理能力：
  • 35.5 dBm的通過路徑
  • 27 dBm端接路徑和熱切換應用
• 高線性度：
  • P1dB：+37 dBm（典型值）
  • IIP3：+61 dBm（典型值）
• ESD額定值：2-KV HBM

定價和供貨

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