上海和舊金山2015年7月9日電(dian) /美通(tong)社/ -- 中(zhong)微(wei)半導體(ti)設備有限公司(si)（簡(jian)稱“中(zhong)微(wei)”）宣(xuan)布 Primo SSC AD-RIE?（中(zhong)微(wei)單反應臺(tai)等(deng)離子體(ti)刻蝕設備）已交付韓(han)國領(ling)先(xian)的(de)(de)存(cun)儲器制造商。Primo SSC AD-RIE?是中(zhong)微(wei)公司(si)目前先(xian)進(jin)的(de)(de)介質刻蝕設備，可用于1X納米關鍵(jian)刻蝕工(gong)(gong)藝芯(xin)片(pian)加工(gong)(gong)。在(zai)(zai)此之前，中(zhong)微(wei)的(de)(de) Primo SSC AD-RIE?已在(zai)(zai)南韓(han)的(de)(de)16納米最(zui)關鍵(jian)的(de)(de)刻蝕步驟上(shang)實現大(da)批量生產。這臺(tai)交付的(de)(de)設備將在(zai)(zai)客戶最(zui)先(xian)進(jin)工(gong)(gong)藝的(de)(de) 3D VNAND試生產線上(shang)投入運行。

移動(dong)電子產品的(de)(de)(de)飛速(su)發(fa)展、以及大數(shu)據、社交傳(chuan)媒的(de)(de)(de)廣泛應(ying)用，使(shi)(shi)得人們對存儲(chu)(chu)器的(de)(de)(de)存儲(chu)(chu)容(rong)量(liang)和(he)讀取(qu)速(su)度提(ti)出了更高的(de)(de)(de)要求(qiu)。當(dang)前一代的(de)(de)(de) 2D NAND 工(gong)藝很(hen)快將無法滿足不斷(duan)升(sheng)級的(de)(de)(de)需求(qiu)。3D VNAND 代表了下一代前沿工(gong)藝，中微的(de)(de)(de)客戶正(zheng)是技(ji)術(shu)進步(bu)的(de)(de)(de)領跑者。像(xiang)存儲(chu)(chu)故(gu)障、光刻圖案技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)局限性(xing)等問題使(shi)(shi)在 2D NAND 工(gong)藝層(ceng)面很(hen)難繼續向(xiang)下一代工(gong)藝節點過渡，3D VNAND 則(ze)能解決這一難題。3D VNAND 帶(dai)來的(de)(de)(de)好處(chu)還包(bao)括提(ti)高存儲(chu)(chu)容(rong)量(liang)和(he)讀取(qu)速(su)度，提(ti)升(sheng)功(gong)率效能和(he)可(ke)靠(kao)性(xing)，并降(jiang)低(di)生產成本。

“認(ren)識到 3D VNAND 閃(shan)存技術是存儲工(gong)(gong)藝的(de)(de)未來，我(wo)(wo)們(men)(men)在(zai)(zai)研(yan)發(fa)上(shang)(shang)投入了大量的(de)(de)人(ren)力和物力，與(yu)客(ke)戶(hu)(hu)緊(jin)密(mi)合作，開發(fa)用(yong)于(yu)這(zhe)(zhe)種高端(duan)制程工(gong)(gong)藝所必需的(de)(de)刻蝕技術。”中微副總裁兼存儲及邏輯產品關(guan)鍵客(ke)戶(hu)(hu)大區總經理KI Yoon說道，“能(neng)夠(gou)在(zai)(zai)這(zhe)(zhe)家領先客(ke)戶(hu)(hu)的(de)(de) 3D VNAND 試(shi)生產線(xian)(xian)上(shang)(shang)占有一席之地是對我(wo)(wo)們(men)(men)長期(qi)努力的(de)(de)肯定。另外，在(zai)(zai)這(zhe)(zhe)個(ge)只有少數(shu)一線(xian)(xian)刻蝕設備供應商高度競爭的(de)(de)領域(yu)，我(wo)(wo)們(men)(men)相信(xin)，我(wo)(wo)們(men)(men)的(de)(de)工(gong)(gong)藝質量和面對嚴峻技術挑戰的(de)(de)快速反應能(neng)力使我(wo)(wo)們(men)(men)贏得了訂單。我(wo)(wo)們(men)(men)很高興(xing)也很自豪，能(neng)夠(gou)為這(zhe)(zhe)一重要客(ke)戶(hu)(hu)開發(fa)這(zhe)(zhe)項工(gong)(gong)藝。”

Primo SSC AD-RIE 是采用(yong)高(gao)抽(chou)速，低壓(ya)，高(gao)能脈(mo)沖等離子(zi)體的(de)(de)手段為高(gao)深寬比刻(ke)(ke)蝕而開發的(de)(de)產(chan)品(pin)。這是中(zhong)微(wei) Primo 刻(ke)(ke)蝕產(chan)品(pin)家(jia)族中(zhong)的(de)(de)最新一(yi)代產(chan)品(pin)。像中(zhong)微(wei)其(qi)他所有刻(ke)(ke)蝕設備(bei)一(yi)樣，Primo SSC AD-RIE 具備(bei)先進的(de)(de)技術水平(ping)、超(chao)高(gao)的(de)(de)生產(chan)效率和較低的(de)(de)生產(chan)成本。

中微高管將參加下(xia)周（7月14日至16日）在美(mei)國舊金山(shan)舉(ju)辦的(de)(de)美(mei)國半導(dao)體設(she)備和材(cai)料展(zhan)覽(lan)會(hui) SEMICON West。一(yi)年一(yi)度的(de)(de) SEMICON West 展(zhan)會(hui)是(shi)全球半導(dao)體設(she)備行(xing)業精英的(de)(de)重(zhong)要盛(sheng)會(hui)。

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