上(shang)海2015年3月13日(ri)電 /美通社/ -- 隨著集成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)設計線(xian)寬的(de)(de)不斷(duan)縮(suo)小，生產(chan)過程中(zhong)對于(yu)污染物的(de)(de)控(kong)制變得(de)空前(qian)嚴格，隨之而來(lai)的(de)(de)便(bian)是單(dan)片清(qing)洗工藝步(bu)驟的(de)(de)增加(jia)。以(yi)目前(qian)集成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)最為(wei)主流的(de)(de)28納米產(chan)品為(wei)例，單(dan)片清(qing)洗步(bu)驟約占到(dao)總步(bu)驟的(de)(de)1/4。作為(wei)國內僅有(you)的(de)(de)從事集成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)清(qing)洗設備的(de)(de)公司，盛美半導體所做(zuo)的(de)(de)便(bian)是不斷(duan)進行內功修煉(lian)，以(yi)滿足主流集成(cheng)電路(lu)(lu)(lu)生產(chan)的(de)(de)需(xu)求，目前(qian)在新產(chan)品上(shang)研發及相關評估(gu)上(shang)已有(you)所突破。

去年(nian)Semicon China期間，盛美半(ban)導(dao)體帶來(lai)了Ultra C SAPS III單片兆聲波清洗(xi)機。該(gai)臺清洗(xi)機在(zai)配合超稀化(hua)學液體 (ppm級別(bie))使用后，可用于微小(xiao)顆粒(li)（小(xiao)于65nm）去除以(yi)及(ji)化(hua)學氧化(hua)層(ceng)控制，以(yi)替代傳統‘Nano Spray’清洗(xi)技(ji)術，在(zai)薄膜沉積后的清洗(xi)領域(yu)有廣泛(fan)的應用前景。盛美半(ban)導(dao)體的首席執行官王暉介(jie)紹稱 “經過不斷優化(hua)，該(gai)清洗(xi)機已于近日通過了韓國(guo)集成電路大廠的大生產線工藝(yi)評估(gu)，有望成為下一代微小(xiao)顆粒(li)清洗(xi)的主流(liu)設備”。

高產能、高良率、低占地面積是Ultra C SAPS III的二大亮點：該單片清(qing)洗(xi)機(ji)采用了兩(liang)套機(ji)械傳輸機(ji)構(gou)，產能可以提升(sheng)約15%。同時(shi)，該設備采用了三維(wei)堆棧(zhan)結構(gou)，占地面積可以大(da)(da)大(da)(da)減小(xiao)，僅為上一(yi)代(dai)8腔體單片清(qing)洗(xi)機(ji)的(de)45%。