上海2015年3月(yue)16日電(dian) /美通(tong)社/ -- 隨著(zhu)半導(dao)體集成電(dian)路產(chan)業的飛速(su)發(fa)展，為了(le)克服隨著(zhu)技術節點減小(xiao)帶來(lai)的阻容遲滯（RC Delay），銅(tong)低k / 超(chao)低k 介質互連結構被引入半導(dao)體工業中(zhong)。因為低k / 超(chao)低k 介質材料脆弱的機械性能(neng)，阻礙其被廣(guang)泛應用于半導(dao)體器件量產(chan)中(zhong)。

“盛美最新開發(fa)的(de)無(wu)應力(li)(li)拋(pao)光（the Ultra SFP）設(she)(she)備，能夠(gou)對(dui)于(yu)28nm至(zhi)40nm及以下(xia)(xia)節點(dian)銅低k/超低k互(hu)聯結構(gou)進行無(wu)應力(li)(li)，無(wu)損(sun)傷的(de)拋(pao)光。”盛美半導體設(she)(she)備公司的(de)創始人、首席(xi)執行官王(wang)暉(hui)博士說(shuo)，“該設(she)(she)備整合了(le)無(wu)應力(li)(li)拋(pao)光工(gong)藝(yi)（SFP），熱氣相蝕(shi)刻工(gong)藝(yi) （TFE）；并(bing)且可(ke)以和現(xian)有(you)生產線所使用(yong)(yong)的(de)傳統化(hua)學機械研磨工(gong)藝(yi)（CMP）無(wu)縫銜(xian)接，在(zai)下(xia)(xia)一代工(gong)藝(yi)技(ji)術(shu)節點(dian)應用(yong)(yong)中(zhong)，無(wu)需對(dui)現(xian)有(you) CMP 設(she)(she)備進行升級(ji)改造；利用(yong)(yong)其各自獨特的(de)工(gong)藝(yi)優點(dian)，確保整個工(gong)藝(yi)對(dui)銅互(hu)連結構(gou)無(wu)任(ren)何(he)損(sun)傷。”

無(wu)應(ying)力拋(pao)光設(she)備應(ying)用(yong)于(yu)銅(tong)低(di)k / 超低(di)k 互連(lian)結構(gou)有(you)諸多(duo)優點：其(qi)一，依靠拋(pao)光自動停(ting)止(zhi)原理，平坦化工藝(yi)后凹陷更均(jun)勻及精確可(ke)控；其(qi)二，工藝(yi)簡單，采用(yong)環(huan)保的(de)可(ke)以循環(huan)實(shi)用(yong)的(de)電化學拋(pao)光液，沒有(you)拋(pao)光墊，研磨(mo)液等，耗(hao)材成本降低(di)50%以上；對互聯(lian)(lian)結構(gou)中(zhong)金屬層和介質層無(wu)劃傷及機(ji)械損傷；其(qi)三，可(ke)以將工藝(yi)擴展至新型材料鈷（Co）和釕(liao)（Ru）作(zuo)為阻(zu)擋層的(de)銅(tong)低(di)k / 超低(di)k 互聯(lian)(lian)結構(gou)中(zhong)。